Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices

OHTA, Akio ; KANME, Daisuke ; et al.

In: IEICE transactions on electronics, Jg. 94 (2011), Heft 5, S. 717-723

academicJournal - print, 19 ref

A stacked structure consisting of ∼1 nm-thick MgO and ∼4 nm-thick HfO2 was formed on thermally grown SiO2/Si(100) by MOCVD using dipivaloymethanato (DPM) precursors, and the influences of N2 anneal on interfacial reaction and defect state density in this stacked structure were examined. The chemical bonding features of Mg atom were evaluated by using an Auger parameter independently of positive charge-up during XPS measurements. With Mg incorporation into HfO2, a slight decrease in the oxidation number of Mg was detectable. The result suggests that Mg atoms are incorporated preferentially near oxygen vacancies in the HfO2, which can be responsible for a reduction of the flat band voltage shifts observed from C-V characteristics.

Titel:	Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
Autor/in / Beteiligte Person:	OHTA, Akio ; KANME, Daisuke ; MURAKAMI, Hideki ; HIGASHI, Seiichiro ; MIYAZAKI, Seiichi
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEICE transactions on electronics, Jg. 94 (2011), Heft 5, S. 717-723
Veröffentlichung:	Oxford: Oxford University Press, 2011
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 19 ref
ISSN:	0916-8524 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Fabrication microélectronique (technologie des matériaux et des surfaces) Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Composé IV-VI IV-VI compound Compuesto IV-VI Caractéristique capacité tension Voltage capacity curve Característica capacidad tensión Densité défaut Defect density Densidad defecto Diélectrique permittivité élevée High k dielectric Dieléctrico alta constante dieléctrica Empilement Stacking Apilamiento Fabrication microélectronique Microelectronic fabrication Fabricación microeléctrica Lacune Vacancy Cavidad Méthode MOCVD MOCVD Oxydation Oxidation Oxidación Oxyde d'hafnium Hafnium oxide Hafnio óxido Oxyde de magnésium Magnesium oxide Magnesio óxido Oxyde de silicium Silicon oxides Oxygène Oxygen Oxígeno Photoémission Photoemission Recuit Annealing Recocido Revêtement Coatings Revestimiento Réaction interface Interface reaction Reacción interfase Spectre photoélectron RX X-ray photoelectron spectra Tension bande plate Flat band voltage Voltaje banda llana 8115G HfO2 MgO SiO2 capping layer high-k gate dielectrics photoemission measurements
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashihiroshima-shi, 739-8530, Japan Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Physics and materials science

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