Temperature Dependency of Driving Current in High-k/Metal Gate MOSFET and Its Influence on CMOS Inverter Circuit : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices

SASAKI, Takeshi ; IMAMOTO, Takuya ; et al.

In: IEICE transactions on electronics, Jg. 94 (2011), Heft 5, S. 751-759

academicJournal - print, 11 ref

As the integration density and capacitance of semiconductor devices have increased, high-dielectric (High-k) materials have attracted considerable attention. We investigated the dependence of threshold voltage (Vth) characteristics of the High-k/Metal Gate MOSFET fabricated with 65 nm CMOS process on the temperature, in comparison to conventional SiON/Poly-Si Gate MOSFET. Two aspects including the Fermi level and the channel mobility in MOSFET are discussed in details. Furthermore, the influence of threshold voltage characteristics of the High-k/Metal Gate MOSFET on the logic threshold voltage (Vth-inv) of CMOS inverter is reported in this paper.

Titel:	Temperature Dependency of Driving Current in High-k/Metal Gate MOSFET and Its Influence on CMOS Inverter Circuit : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
Autor/in / Beteiligte Person:	SASAKI, Takeshi ; IMAMOTO, Takuya ; ENDOH, Tetsuo
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEICE transactions on electronics, Jg. 94 (2011), Heft 5, S. 751-759
Veröffentlichung:	Oxford: Oxford University Press, 2011
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 11 ref
ISSN:	0916-8524 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Appareillage électronique et fabrication. Composants passifs, circuits imprimés, connectique Electronic equipment and fabrication. Passive components, printed wiring boards, connectics Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Capacité électrique Capacitance Capacitancia Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Densité intégration Integration density Densidad integración Dispositif semiconducteur Semiconductor device Dispositivo semiconductor Diélectrique permittivité élevée High k dielectric Dieléctrico alta constante dieléctrica Etude comparative Comparative study Estudio comparativo Grille transistor Transistor gate Rejilla transistor Multicouche Multiple layer Capa múltiple Niveau Fermi Fermi level Nivel Fermi Onduleur Inverter Ondulador Polycristal Polycrystal Policristal Seuil tension Voltage threshold Umbral tensión Silicium Oxynitrure Silicon Nitrides oxides Silicio Oxinitruro Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Transistor MOSFET MOSFET SiON CMOS high-k dielectric film high-k/metal gate stack inverter mobility
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University, Sendai-shi, 980-8578, Japan Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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