Einzeltreffer — DigiBib

The paper presents the design and characterization of a low noise amplifier (LNA) in a 0.18 μm CMOS process with a novel micromachined integrated stacked inductor. The inductor is released from the silicon substrate by a low-cost CMOS compatible dry front-side micromachining process that enables higher inductor quality factor and self-resonance frequency. The post-processed micromachined inductor is used in the matching network of a single stage cascode 4 GHz LNA to improve its RF performance. This study compares performance of the fabricated LNA prior to and after post-processing of the inductor. The measurement results show a 0.5 dB improvement in the minimum noise figure and a 1 dB increase in gain, while good input matching is maintained. These results show that the novel low-cost CMOS compatible front-side dry micromachining process reported here significantly improves performance and is very promising for System-On-Chip (SOC) applications.

Titel:	A CMOS low noise amplifier with integrated front-side micromachined inductor
Autor/in / Beteiligte Person:	BEN YISHAY, Roee ; STOLYAROVA, Sara ; SHAPIRA, Shye ; MUSIYA, Moshe ; KRYGER, David ; SHILOH, Yossi ; NEMIROVSKY, Yael
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Microelectronics journal, Jg. 42 (2011), Heft 5, S. 754-757
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier, 2011
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 15 ref
ISSN:	0959-8324 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dispositifs magnétiques Magnetic devices Fabrication microélectronique (technologie des matériaux et des surfaces) Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Amplificateurs Amplifiers Amplificateur faible bruit Low noise amplifier Amplificador bajo ruido Bobine inductance Inductor Bobina inductancia Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Circuit monoétage Single stage circuit Circuito a un escalón Diminution coût Cost lowering Reducción costes Dispositif microélectromécanique Microelectromechanical device Dispositivo microelectromecánico Empilement Stacking Apilamiento Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Fabrication microélectronique Microelectronic fabrication Fabricación microeléctrica Facteur qualité Q factor Factor calidad Figure bruit Noise figure Figura ruido Fréquence résonance Resonance frequency Frecuencia resonancia Gain Ganancia Micromachine Micromáquina Microusinage Micromachining Micromaquinado Mode empilement Stacking sequence Modo apilamiento Montage cascode Cascode connection Montaje cascode Procédé voie sèche Dry process Procedimiento vía seca Silicium Silicon Silicio Système sur puce System on a chip Sistema sobre pastilla Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Traitement matériau Material processing Tratamiento material 8540H CMOS post-processing Integrated inductor Low noise amplifier (LNA) Micro electro-mechanical systems (MEMS) SOC
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Electrical Engineering, Technion, Israel Institute of Technology, Technion City 3200, Haifa, Israel ; Tower-Jazz Semiconducors Ltd., Migdal Haemek, Israel ; RAFAEL, Advanced Defense Systems Ltd., Haifa 31021, Israel Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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A CMOS low noise amplifier with integrated front-side micromachined inductor