Mechanism Analysis of Off-Leakage Current in an LDD Poly-Si TFT Using Activation Energy

NAKASHIMA, Akihiro ; KIMURA, Mutsumi

In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 6, S. 764-766

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We have analyzed the mechanism of off-leakage current in an lightly doped drain (LDD) poly-Si thin-film transistor by investigating the activation energy Ea. It is found that Ea decreases as the gate and drain voltages increase. We have also discussed the mechanism using a device simulator. It is found that a hole channel is lightly formed in the LDD region, and a pseudo p-n junction appears at the junction between the LDD and drain regions. The aforementioned experimental behavior of Ea is because the electric field increases there. These results suggest that the off-leakage current is caused by the phonon-assisted tunneling with Poole-Frenkel effect at the junction between the LDD and drain regions.

Titel:	Mechanism Analysis of Off-Leakage Current in an LDD Poly-Si TFT Using Activation Energy
Autor/in / Beteiligte Person:	NAKASHIMA, Akihiro ; KIMURA, Mutsumi
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Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 6, S. 764-766
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 16 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Dispositifs à structure composée Compound structure devices Transistors Analyse mécanisme Mechanism analysis Análisis mecánismo Champ électrique Electric field Campo eléctrico Courant fuite Leakage current Corriente escape Drain peu dopé Lightly doped drain Dren poco dopado Effet Poole Frenkel Poole Frenkel effect Efecto Poole Frenkel Effet tunnel Tunnel effect Efecto túnel Energie activation Activation energy Energía activación Jonction p n p n junction Unión p n Polycristal Polycrystal Policristal Simulateur Simulator Simulador Tension de grille Gate voltage Voltaje de rejilla Tension drain Drain voltage Tensión dren Transistor couche mince Thin film transistor Transistor capa delgada lightly doped drain (LDD) mechanism analysis off-leakage current poly-Si thin-film transistor (TFT)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan ; Joint Research Center for Science and Technology, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan ; Innovative Materials and Processing Research Center, High-Tech Research Center, Seta, Otsu 520-2194, Japan Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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