Einzeltreffer — DigiBib

A simple technique for extracting the Fowler-Nordheim (FN) tunnelling parameters is proposed. It consists of measuring the Drain-Source current of a floating gate transistor while a linear ramp voltage is applied to a simple injector structure attached to the transistor's floating gate. Such a test device is fabricated using a standard CMOS process. The parameters obtained can be used in a freely available electrical simulator as SPICE3f5 (NGSPICE), but in general it can be easily adapted to other SPICE-like programs. We describe the technique step-by-step and a comparison is made of simulated and measured FN tunnelling parameters, for a floating gate transistor with tunnelling injectors. A good agreement has been found between experimental and simulated data.

Titel:	A simple method for determination of Fowler-Nordheim tunnelling parameters
Autor/in / Beteiligte Person:	CASADOS-CRUZ, G ; REYES-BARRANCA, M. A ; MORENO-CADENAS, J. A
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	International journal of electronics, Jg. 98 (2011), Heft 4-6, S. 655-666
Veröffentlichung:	Abingdon: Taylor & Francis, 2011
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 1 p
ISSN:	0020-7217 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Circuits analogiques Analog circuits Circuit analogique Analog circuit Circuito analógico Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Conception assistée Computer aided design Concepción asistida Conception circuit Circuit design Diseño circuito Courant drain Drain current Corriente dren Effet tunnel Fowler Nordheim Fowler Nordheim tunneling Efecto túnel Fowler Nordheim Effet tunnel Tunnel effect Efecto túnel Etude comparative Comparative study Estudio comparativo Grille transistor Transistor gate Rejilla transistor Programme SPICE SPICE Simulateur Simulator Simulador Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie grille flottante Floating gate technology Tecnología rejilla flotante Transistor CAD Fowler-Nordheim tunnelling analogue circuits integrated circuits measurements semiconductors
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Electrical Engineering, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N., Ar. I.P.N. 2508 Col. San Pedro Zacatinco, Ciudad de Mexico 07360, Mexico Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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A simple method for determination of Fowler-Nordheim tunnelling parameters