Einzeltreffer — DigiBib

High quality InAs0.85Sb0.15 film has been successfully grown on (1 00) InAs substrate by liquid phase epitaxy using InAs0.93Sb0.07 buffer layer. The microstructure and morphologies of the film were characterized by high-resolution X-ray diffraction, scanning electronic microscopy, optical microscopy, atomic force microscopy, and high-resolution transmission electron microscopy. These results show that the high quality film with mirror-like surface was obtained. The optical properties were investigated by photoluminescence and the Raman spectra. The peak position of photoluminescence spectrum for the film is about 0.35 eV at 77 K. In addition to the reported single-mode phonon behavior, the local vibration mode associated with Sb atoms was also observed in the Raman spectra.

Titel:	LPE growth and characterization of mid-infrared InAs0.85Sb0.15 film on InAs substrate
Autor/in / Beteiligte Person:	WANG, Q. W ; SUN, C. H ; HU, S. H ; HE, J. Y ; WU, J ; CHEN, X ; DENG, H. Y ; DAI, N
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Journal of crystal growth, Jg. 327 (2011), Heft 1, S. 63-67
Veröffentlichung:	Amsterdam: Elsevier, 2011
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 31 ref
ISSN:	0022-0248 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Geology Géologie Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement Optical properties and condensed-matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation Propriétés optiques des matériaux massifs et des couches minces Optical properties of bulk materials and thin films Photoluminescence Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de croissance cristalline; physique de la croissance cristalline Methods of crystal growth; physics of crystal growth Théorie et modèles de la croissance cristalline; physique de la croissance cristalline, morphologie cristalline et orientation cristalline Theory and models of crystal growth; physics of crystal growth, crystal morphology and orientation Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Epitaxie en phase liquide; dépôt en phase liquide (phases fondues, solutions et couches superficielles sur des liquides) Liquid phase epitaxy; deposition from liquid phases (melts, solutions, and surface layers on liquids) Antimoine Antimony Couche mince Thin films Couche tampon Buffer layer Capa tampón Diffraction RX XRD Epitaxie phase liquide LPE Force optique Optical forces Microscopie force atomique Atomic force microscopy Microscopie optique Optical microscopy Microscopie électronique transmission Transmission electron microscopy Microstructure Miroir Mirrors Mode phonon Phonon mode Modo fonón Mode vibration Vibrational modes Morphologie Morphology Mécanisme croissance Growth mechanism Mecanismo crecimiento Propriété optique Optical properties Semiconducteur III-V III-V semiconductors Spectrométrie Raman Raman spectroscopy 8110A 8115L Substrat InAs A1. X-ray diffraction A3. Liquid phase epitaxy B2. Semiconducting III-V materials B3. Infrared devices Time: 7820 7855
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, Shanghai 200083, China Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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LPE growth and characterization of mid-infrared InAs0.85Sb0.15 film on InAs substrate