Einzeltreffer — DigiBib

Presented is a fully-integrated 2.45/3.8 GHz concurrent dual-band CMOS power amplifier (PA) with a switchless matching network. The area of the PA is 1.46 x 0.7 mm2, and it is fabricated in a 0.18 μm RF CMOS process. It uses a supply voltage of 3.3 V. The measured maximum output power and drain efficiency of the dual-band PA are 23.4 dBm and 42% at 2.45 GHz and 24.5 dBm and 39% at 3.8 GHz, respectively.

Titel:	Fully-integrated concurrent dual-band CMOS power amplifier with switchless matching network
Autor/in / Beteiligte Person:	YOON, Y ; KIM, H ; CHA, J ; LEE, O ; KIM, H. S ; KIM, W ; LEE, C.-H ; LASKAR, J
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Electronics letters, Jg. 47 (2011), Heft 11, S. 659-661
Veröffentlichung:	Stevenage: Institution of Engineering and Technology, 2011
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 6 ref
ISSN:	0013-5194 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Optics Optique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Appareillage électronique et fabrication. Composants passifs, circuits imprimés, connectique Electronic equipment and fabrication. Passive components, printed wiring boards, connectics Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Amplificateurs Amplifiers Amplificateur puissance Power amplifier Amplificador potencia Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Circuit intégré radiofréquence Radiofrequency integrated circuits Electronique puissance Power electronics Electrónica potencia Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Puissance sortie Output power Potencia salida Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Circuit multi-bandes Multi-band circuit
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia, United States ; Samsung Design Center, Atlanta, Georgia, United States ; Qualcomm Inc, San Diego, California, United States ; Department of Electrieal Engineering, University of North Texas, Denton, Texas, United States Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Fully-integrated concurrent dual-band CMOS power amplifier with switchless matching network