Einzeltreffer — DigiBib

A new CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) compatible Bulk-Si FinFETs fabrication process has been proposed. Compared with conventional fabrication processes of SOI (Silicon On Insulator) and Bulk-Si FinFETs, this new approach is of low cost and simple. High performance CMOS Bulk-Si FinFETs, the fin isolated to Si substrate by oxide, have been fabricated using this new approach. With lower body doping concentration (1 × 15 cm-3). PMOS shows Ion/Ioff ratio of 104 and short channel behavior with a subthreshold swing (SS) of 280 mV/dec, a DIBL (Drain Induced Barrier Lowering) value of 258 mV/V. NMOS device, with the body doping concentration up to 1 x 17 cm-3, shows an Ion/Ioff ratio larger than 107 and SS = 86 mV/dec and DIBL = 28 mV/V.

Titel:	Fabrication of Bulk-Si FinFET using CMOS compatible process
Autor/in / Beteiligte Person:	ZHOU, HUAJIE ; SONG, YI ; XU, QIUXIA ; LI, YONGLIANG ; YIN, HUAXIANG
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Microelectronic engineering, Jg. 94 (2012), S. 26-28
Veröffentlichung:	Amsterdam: Elsevier, 2012
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 10 ref
ISSN:	0167-9317 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Canal court Short channel Canal corto Concentration impureté Impurity density Concentración impureza Diminution coût Cost lowering Reducción costes Effet concentration Concentration effect Efecto concentración Haute performance High performance Alto rendimiento Procédé fabrication Manufacturing process Procedimiento fabricación Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie NMOS NMOS technology Tecnología NMOS Technologie PMOS PMOS technology Tecnología PMOS Technologie autoalignée Self aligned technology Tecnología rejilla autoalineada Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Transistor MOSFET MOSFET Transistor grille double Dual gate transistor Transistor de compuerta doble 8530T Effet DIBL DIBL effect Bulk FinFET Multi-gate
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Fabrication of Bulk-Si FinFET using CMOS compatible process