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This paper presents a low-power CMOS transconductance gm boosted common gate (CG) ultrawideband (UWB) low noise amplifier (LNA) architecture, operating in the 3-5 GHz range, employing current-reuse technique. This proposed UWB CG LNA utilizes a common source (CS) amplifier as the gm-boosting stage which shares the bias current with the CG amplifying stage. A detailed mathematical analysis of the LNA is carried out and the different design tradeoffs are analyzed. The LNA circuit was designed and fabricated using the 130-nm IBM CMOS process and it achieved input return loss (S11) and output return loss (S22) variations of respectively ―8.4 to ―40 dB and ―14 to ―15 dB within the pass-band. The LNA exhibits almost flat forward power gain (S21) of 13 dB and a reverse isolation (S12) variation of —55 dB to —40 dB, along with a noise figure (NF) ranging between 3.5 and 4.5 dB. The complete circuit (with output buffer) draws only 3.4 mW from a 1 V supply voltage.

Titel:	A 3―5 GHz Current-Reuse gm-Boosted CG LNA for Ultrawideband in 130 nm CMOS
Autor/in / Beteiligte Person:	KHURRAM, Muhammad ; HASAN, S. M. Rezaul
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, Jg. 20 (2012), Heft 3, S. 400-409
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 43 ref
ISSN:	1063-8210 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Appareillage électronique et fabrication. Composants passifs, circuits imprimés, connectique Electronic equipment and fabrication. Passive components, printed wiring boards, connectics Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Amplificateurs Amplifiers Electrotechnique. Electroenergetique Electrical engineering. Electrical power engineering Electronique de puissance, alimentations électriques Power electronics, power supplies Alimentation électrique Power supply Alimentación eléctrica Amplificateur faible bruit Low noise amplifier Amplificador bajo ruido Analyse mathématique Mathematical analysis Análisis matemático Circuit sortie Output circuit Circuito salida Circuit séparateur Separator circuit Circuito separador Conception circuit Circuit design Diseño circuito Domaine fréquence GHz GHz range Electronique faible puissance Low-power electronics Electronique puissance Power electronics Electrónica potencia Figure bruit Noise figure Figura ruido Gain puissance Power gain Aumento potencia Montage source commune Common source configuration Configuración de surtidor común Optimisation Optimization Optimización Perte de retour Return loss Pérdida de retorno Réutilisation Reuse Reutilización Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Transconductance Transconductancia Ultra large bande Ultra wide band Banda ultraancha Montage grille commune Common grid configuration Configuración de rejilla común CMOS noise optimization LNA common gate amplifier current-reuse gm-boosted low noise amplifier (LNA) ultrawideband (UWB)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Center for Research in Analog and VLSI Microsystem Design (CRAVE), School of Engineering and Advanced Technology (SEAT), Massey University, Albany, Auckland 0632, New Zealand Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electrical engineering. Electroenergetics ; Electronics

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A 3―5 GHz Current-Reuse gm-Boosted CG LNA for Ultrawideband in 130 nm CMOS