Novel 2-Bit/Cell Wrapped-Select-Gate SONOS TFT Memory Using Source-Side Injection for NOR-Type Flash Array

WANG, Kuan-Ti ; HSUEH, Fang-Chang ; et al.

In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 6, S. 839-841

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This letter is the first to successfully demonstrate the 2-bit/cell wrapped-selected-gate (WSG) SONOS thin-film transistor (TFT) memory using source-side injection (SSI). Because of the higher programming efficiency of SSI, a memory window of approximately 3 V can be easily achieved in 10 μs and 30 ms for the program and erase modes, respectively. In addition, we performed an excellent 2-bit/cell distinguish margin for 3-V memory window in WSG-SONOS TFT memory. The optimal reliability of the endurance and data retention tests can be executed by adjusting the applied voltage appropriately.

Titel:	Novel 2-Bit/Cell Wrapped-Select-Gate SONOS TFT Memory Using Source-Side Injection for NOR-Type Flash Array
Autor/in / Beteiligte Person:	WANG, Kuan-Ti ; HSUEH, Fang-Chang ; LU, Yu-Lun ; CHIANG, Tsung-Yu ; WU, Yi-Hong ; LIAO, Chia-Chun ; YEN, Li-Chen ; CHAO, Tien-Sheng
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 6, S. 839-841
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 11 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Dispositifs à structure composée Compound structure devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits intégrés par fonction (dont mémoires et processeurs) Integrated circuits by function (including memories and processors) Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Effacement Erasure Borradura Enregistrement Recording Registro Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Fiabilité Reliability Fiabilidad Mémoire couche mince Thin film memory Memoria capa delgada Mémoire non volatile Non volatile memory Memoria no volátil Structure SONOS SONOS structure Estructura SONOS Transistor couche mince Thin film transistor Transistor capa delgada Source-side injection (SSI) thin-film transistor memory two-bit/cell wrapped-selected-gate (WSG)-SONOS
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Tawain, Province of China Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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