Einzeltreffer — DigiBib

A 132―160 GHz low-noise amplifier (LNA) in 0.13 μm SiGe BiCMOS technology is presented. The gain-boosting technique and 3D grounded-shielding structures have been employed to achieve higher gain with lower power consumption and silicon occupation. The experimental results show that the LNA with a chip area of 400 x 900 μm achieves gain of 21 dB with a 3 dB bandwidth of 28 GHz and noise figure of 8.5 dB at 145 GHz, with total DC power consumption of 14.5 mW.

Titel:	Gain-enhanced 132―160 GHz low-noise amplifier using 0.13 μm SiGe BiCMOS
Autor/in / Beteiligte Person:	BO, ZHANG ; XIONG, Yong-Zhong ; LEI, WANG ; SANGMING, HU ; LI, Le-Wei
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Electronics letters, Jg. 48 (2012), Heft 5, S. 257-259
Veröffentlichung:	Stevenage: Institution of Engineering and Technology, 2012
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 7 ref
ISSN:	0013-5194 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Optics Optique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Amplificateurs Amplifiers Circuits hyperfréquences, circuits intégrés hyperfréquences, lignes de transmission hyperfréquences, circuits à ondes submillimétriques Microwave circuits, microwave integrated circuits, microwave transmission lines, submillimeter wave circuits Alliage semiconducteur Semiconductor alloys Alliage Ge Si Ge-Si alloys Amplificateur faible bruit Low noise amplifier Amplificador bajo ruido Amplificateur hyperfréquence Microwave amplifier Amplificador hiperfrecuencia Consommation électricité Electric power consumption Consumo electricidad Ecran électromagnétique Electromagnetic shielding Pantalla electromagnética Electronique faible puissance Low-power electronics Figure bruit Noise figure Figura ruido Gain Ganancia Technologie BiCMOS BiCMOS technology Tecnología BiCMOS
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Xi'an University of Posts and Telecommunications, Changan District, Xi'an, China ; Microarray Technology, Chengdu, China ; University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China ; Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), Singapore Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Gain-enhanced 132―160 GHz low-noise amplifier using 0.13 μm SiGe BiCMOS