Effects of Ga concentration on structural and electrical properties of screen printed-CIGS absorber layers on polyethylene terephthalate

FARAJ, M. G ; IBRAHIM, K ; et al.

In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 15 (2012), Heft 2, S. 206-213

academicJournal - print, 43 ref

Copper indium gallium diselenide (CIGS) films were deposited as an absorber layer on polyethylene terephthalate (PET) substrates by a screen printing technique using CIGS ink with a Ga content ranging from 0.3 to 0.6. The melting point of PET substrate is 254.9 °C; the average transmission in the visible (400 nm-800 nm) for PET substrates is greater than 85%. Effects of Ga content of the CIGS absorber layer on structural and electrical properties of the CIGS films were studied. The lattice parameters, a and c for all CIGS films were decreased with increasing Ga content. At room temperature, Hall mobility and charge-carrier concentration of the CIGS films varies from 97.2 to 2.69 cm2 V―1 s―1 and 9.98 x 1016 to 3.23 × 1018 cm-3, respectively.

Titel:	Effects of Ga concentration on structural and electrical properties of screen printed-CIGS absorber layers on polyethylene terephthalate
Autor/in / Beteiligte Person:	FARAJ, M. G ; IBRAHIM, K ; SALHIN, A
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Materials science in semiconductor processing, Jg. 15 (2012), Heft 2, S. 206-213
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier, 2012
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 43 ref
ISSN:	1369-8001 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de nanofabrication Methods of nanofabrication Méthodes de synthèse chimique Chemical synthesis methods Autres méthodes de préparation et de traitement des matériaux Materials synthesis; materials processing Absorbeur Absorbers Caractéristique électrique Electrical characteristic Característica eléctrica Couche mince Thin films Densité porteur charge Carrier density Ethylène téréphtalate polymère Ethylene terephthalate polymer Etileno tereftalato polímero Gallium Matériau absorbant Absorbent material Material absorbente Mobilité Hall Hall mobility Paramètre cristallin Lattice parameters Point fusion Melting points Propriété électrique Electrical properties Synthèse chimique Chemical synthesis Síntesis química Séléniure d'indium Indium selenides Séléniure de cuivre Copper selenides Sérigraphie Screen printing Température ambiante Ambient temperature 8116B CuInSe2 CIGS Polyethylene terephthalate Thin film
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Nano-Optoelectronics Research and Technology Laboratory (N.O.R), School of Physics, Universiti Sains Malaysia, Penang 11800, Malaysia ; Department of Physics, School of Sciences, Faculty of Health and Sciences, University of Koya, Koya, Kurdistan Region, Iraq ; School of Chemical Sciences, Universiti Sains Malaysia, Penang 11800, Malaysia Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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