Zum Hauptinhalt springen

CMOS-Compatible Generation of Self-Organized 3-D Ge Quantum Dot Array for Photonic and Thermoelectric Applications

WANG, Ching-Chi ; CHEN, Kuan-Hung ; et al.
In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 11 (2012), Heft 4, S. 657-660
Online academicJournal - print, 16 ref

Titel:
CMOS-Compatible Generation of Self-Organized 3-D Ge Quantum Dot Array for Photonic and Thermoelectric Applications
Autor/in / Beteiligte Person: WANG, Ching-Chi ; CHEN, Kuan-Hung ; LI, Pei-Wen ; CHEN, Inn-Hao ; LAI, Wei-Ting ; CHANG, Hung-Tai ; CHEN, Wen-Yen ; HSU, Jung-Chao ; LEE, Shen-Wei ; HSU, Tzu-Min ; HUNG, Ming-Tsung
Link:
Zeitschrift: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 11 (2012), Heft 4, S. 657-660
Veröffentlichung: New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012
Medientyp: academicJournal
Umfang: print, 16 ref
ISSN: 1536-125X (print)
Schlagwort:
  • Electronics
  • Electronique
  • Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjects
  • Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjets
  • Optics
  • Optique
  • Sciences exactes et technologie
  • Exact sciences and technology
  • Physique
  • Physics
  • Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie
  • Cross-disciplinary physics: materials science; rheology
  • Science des matériaux
  • Materials science
  • Nanomatériaux et nanostructures : fabrication et caractèrisation
  • Nanoscale materials and structures: fabrication and characterization
  • Points quantiques
  • Quantum dots
  • Sciences appliquees
  • Applied sciences
  • Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide
  • Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
  • Circuits intégrés
  • Integrated circuits
  • Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais
  • Design. Technologies. Operation analysis. Testing
  • Circuits électriques, optiques et optoélectroniques
  • Electric, optical and optoelectronic circuits
  • Propriétés des circuits
  • Circuit properties
  • Circuits optiques et optoélectroniques
  • Optical and optoelectronic circuits
  • Optique intégrée. Fibres et guides d'onde optiques
  • Integrated optics. Optical fibers and wave guides
  • Alliage semiconducteur
  • Semiconductor alloys
  • Alliage Ge Si
  • Ge-Si alloys
  • Alliage binaire
  • Binary alloy
  • Aleación binaria
  • Autoorganisation
  • Self organization
  • Autoorganización
  • Circuit accordable
  • Tunable circuit
  • Circuito acordable
  • Conductivité thermique
  • Thermal conductivity
  • Conductividad térmica
  • Conversion énergie
  • Energy conversion
  • Conversión energética
  • Effet thermoélectrique
  • Thermoelectric effect
  • Efecto termoeléctrico
  • Empilement
  • Stacking
  • Apilamiento
  • Germanium
  • Germanio
  • Luminescence
  • Luminiscencia
  • Nanophotonique
  • Nanophotonics
  • Nanofotónica
  • Optique intégrée
  • Integrated optics
  • Optica integrada
  • Oxydation
  • Oxidation
  • Oxidación
  • Point quantique
  • Quantum dot
  • Punto cuántico
  • Technologie MOS complémentaire
  • Complementary MOS technology
  • Tecnología MOS complementario
  • 8107T
  • SiGe
  • Ge quantum dot (QD)
  • photonics
  • thermoelectrics (TE)
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: PASCAL Archive
  • Sprachen: English
  • Original Material: INIST-CNRS
  • Document Type: Article
  • File Description: text
  • Language: English
  • Author Affiliations: Department of Electrical Engineering and the Center for Nano Science and Technology, National Central University, Taoyuan 320, Tawain, Province of China ; Department of Electrical Engineering and Center for Nano Science and Technology, National Central University, Taoyuan 320, Tawain, Province of China ; Institute of Material Engineering, National Central University, Taoyuan 320, Tawain, Province of China ; Department of Physics, National Central University, Taoyuan 320, Tawain, Province of China ; Department of Mechanical Engineering, National Central University, Taoyuan 320, Tawain, Province of China
  • Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS
  • Notes: Electronics ; Physics and materials science

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

oder
oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

oder
oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -