Stimulation de l'agression électromagnétique sur les composants : Composants électroniques soumis à ridiations / Simulation of electromagnetic aggression on components

AKOUN, G ; COUMAR, O

In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 1997, Heft 4, S. 91-94

academicJournal - print, 4 ref

. Numerical simulation techniques can be used for studying the behaviour of electronic components exposed to electromagnetic aggression. This article discusses CW analysis on CMOS-technology logic NAND gate under electromagnetic aggression of different amplitudes (2.5 V and 5 V), frequencies (100 MHz and 1 GHz) and phases. . Numerical simulations were conducted using three codes: Spice code was used for solving electronic circuits, and the Atlas and Dessis codes were used for examining internal component behaviour.

Titel:	Stimulation de l'agression électromagnétique sur les composants : Composants électroniques soumis à ridiations / Simulation of electromagnetic aggression on components
Autor/in / Beteiligte Person:	AKOUN, G ; COUMAR, O
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Zeitschrift:	REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 1997, Heft 4, S. 91-94
Veröffentlichung:	Paris: Société de l'Electricité, de l'Electronique et des Technologies de l'Information et de la Communication (SEE), 1997
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 4 ref
ISSN:	1265-6534 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Electrical engineering Electrotechnique Computer science Informatique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Essais, mesure, bruit et fiabilité Testing, measurement, noise and reliability Telecommunications et theorie de l'information Telecommunications and information theory Théorie de l'information, du signal et des communications Information, signal and communications theory Compatibilité électromagnétique Electromagnetic compatibility Composant électronique Electronic component Componente electrónico Contrainte électrique Electric stress Tensión eléctrica Fiabilité Reliability Porte logique Logic gates Simulation numérique Numerical simulation Simulación numérica Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Transistor MOS MOSFET devices
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: French Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: French Author Affiliations: Aérospatiale, France Rights: Copyright 1997 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Telecommunications and information theory

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