Einzeltreffer — DigiBib

A current reused LC voltage-controlled oscillator (VCO) operating at 2.4 GHz range has been designed and fabricated. The measured output current, phase noise, and oscillation frequency after RF stress show significant parameter shifts from their fresh circuit condition. Impact of hot carrier effect and negative bias temperature instability on the VCO's phase noise is discussed.

Titel:	RF stress effects on CMOS LC-loaded VCO reliability evaluated by experiments
Autor/in / Beteiligte Person:	YEN, H. D ; YUAN, J. S ; WANG, R. L ; HUANG, G. W ; YEH, W. K ; HUANG, F. S
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Microelectronics and reliability, Jg. 52 (2012), Heft 11, S. 2655-2659
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier, 2012
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 30 ref
ISSN:	0026-2714 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Oscillateurs, résonateurs, synthétiseurs Oscillators, resonators, synthetizers Bruit phase Phase noise Ruido fase Contrainte thermique Thermal stress Tensión térmica Contrainte électrique Electric stress Tensión eléctrica Domaine fréquence GHz GHz range Effet contrainte Stress effects Endommagement Damaging Deterioración Fiabilité Reliability Fiabilidad Fréquence oscillation Oscillation frequency Frecuencia oscilación Oscillateur commande tension Voltage controlled oscillator Oscilador comando tensión Porteur chaud Hot carrier Portador caliente Radiofréquence Radiofrequency Radiofrecuencia Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Instabilité thermique de la polarisation Bias temperature instability
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Tawain, Province of China ; Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Central Florida, Orlando, FL 32816, United States ; Department of Electrical Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung, Tawain, Province of China ; National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Tawain, Province of China ; Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung, Tawain, Province of China Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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RF stress effects on CMOS LC-loaded VCO reliability evaluated by experiments