Einzeltreffer — DigiBib

In this paper, an extensive study on the intermodulation distortion and the linearity of gate-material-engineered cylindrical-gate MOSFET (GME CGT MOSFET) has been done, and the influence of technology variations such as channel length and gate material workfunction variations is explored using an ATLAS 3-D device simulator. The simulation results reveal that the GME CGT MOSFET design displays a significant enhancement in the device's linearity and intermodulation distortion performance in terms of the figure-of-merit metrics VIP2, VIP3, IIP3, and IMD3 and the higher order transconductance coefficients gm1, gm2, and gm3. The results are, thus, useful for optimizing the device bias point for RFIC design with higher efficiency and better linearity performance.

Titel:	An Investigation of Linearity Performance and Intermodulation Distortion of GME CGT MOSFET for RFIC Design
Autor/in / Beteiligte Person:	GHOSH, Pujarini ; HALDAR, Subhasis ; GUPTA, R. S ; GUPTA, Mridula
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 12, S. 3263-3268
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 23 ref
ISSN:	0018-9383 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Structure électronique et propriétés électriques des surfaces, interfaces, couches minces et structures de basse dimensionnalité Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures Doubles couches superficielles, barrières de schottky et travail de sortie Surface double layers, schottky barriers, and work functions Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits hyperfréquences, circuits intégrés hyperfréquences, lignes de transmission hyperfréquences, circuits à ondes submillimétriques Microwave circuits, microwave integrated circuits, microwave transmission lines, submillimeter wave circuits Circuit intégré radiofréquence Radiofrequency integrated circuits Conception circuit intégré Integrated circuit design Configuration cylindrique Cylindrical configuration Configuración cilíndrica Distorsion intermodulation Intermodulation distortion Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Facteur mérite Figure of merit Factor mérito Ordre 3 Third order Orden 3 Simulateur Simulator Simulador Technologie MOS MOS technology Tecnología MOS Technologie matériau Material engineering Tecnología material Transconductance Transconductancia Transistor MOSFET MOSFET Travail sortie Work function Función de trabajo Point d'interception Intercept point ATLAS cylindrical-gate (CGT) MOSFET gate material engineering (GME) single metal gate (SMG) Time: 7330
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Semiconductor Device Research Laboratory, Department of Electronic Science, University of Delhi South Campus, New Delhi 110021, India ; Department of Physics, Motilal Nehru College, University of Delhi, New Delhi 110021, India ; Department of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Institute of Technology, New Delhi 110086, India Rights: Copyright 2014 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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An Investigation of Linearity Performance and Intermodulation Distortion of GME CGT MOSFET for RFIC Design