A 280-MHz CMOS Intra-Symbol Intermittent RF Front End for Adaptive Power Reduction of Wireless Receivers According to Received-Signal Intensity in Sensor Networks

NAKAMURA, Mitsuo ; UGAJIN, Mamoru ; et al.

In: IEICE transactions on electronics, Jg. 96 (2013), Heft 1, S. 93-101

academicJournal - print, 22 ref

To reduce the power dissipation of the receiver in accordance with the intensity of the received signal, we developed the first intra-symbol intermittent (ISI) radio-frequency (RF) front end with 0.35-μm CMOS technology. In the demodulation mechanism, the RF output of the low-noise amplifier (LNA) is down-converted to an intermediate frequency (IF) by the mixer, and the LNA and mixer operate synchronously and intermittently within the length of a single symbol. Because the time-averaged power consumption is proportional to the operating time, the demodulation can be performed with low power by making the total operating time short. We experimentally demonstrate that demodulation (BPSK: 9.6 kbps) is properly achieved with the operating-time ratio of 12%. This ISI operation of the RF front end is enabled by a newly devised fast-transition LNA and mixer. A theoretical analysis of aliasing noise reveals that RF ISI operation is more useful than current-control with continuous operation and that an operating-time ratio of 10% is optimal.

Titel:	A 280-MHz CMOS Intra-Symbol Intermittent RF Front End for Adaptive Power Reduction of Wireless Receivers According to Received-Signal Intensity in Sensor Networks
Autor/in / Beteiligte Person:	NAKAMURA, Mitsuo ; UGAJIN, Mamoru ; HARADA, Mitsuru
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEICE transactions on electronics, Jg. 96 (2013), Heft 1, S. 93-101
Veröffentlichung:	Oxford: Oxford University Press, 2013
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 22 ref
ISSN:	0916-8524 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Amplificateurs Amplifiers Circuits hyperfréquences, circuits intégrés hyperfréquences, lignes de transmission hyperfréquences, circuits à ondes submillimétriques Microwave circuits, microwave integrated circuits, microwave transmission lines, submillimeter wave circuits Matériel informatique Hardware Equipements d'entrée-sortie Input-output equipment Amplificateur faible bruit Low noise amplifier Amplificador bajo ruido Brouillage intersymbole Intersymbol interference Interferencia intersímbolo Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Circuit intégré radiofréquence Radiofrequency integrated circuits Circuit mélangeur Mixers (circuits) Commande courant Current control Control corriente Consommation électricité Electric power consumption Consumo electricidad Dissipation énergie Energy dissipation Disipación energía Démodulation Demodulation Demodulación Electronique faible puissance Low-power electronics Fréquence intermédiaire Intermediate frequency Frecuencia intermediaria Interface utilisateur User interface Interfase usuario Modulation binaire déplacement phase Binary phase shift keying Modulación desplazamiento fase bivalente Radiofréquence Radiofrequency Radiofrecuencia Repliement spectre Aliasing Repliegue espectro Récepteur Receiver Receptor Réseau capteur Sensor array Red sensores Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Télécommunication sans fil Wireless telecommunication Telecomunicación sin hilo RF CMOS RF front end intra-symbol intermittent low power sensor network wireless receiver
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: NTT Microsystem Integration Laboratories, NTT Corporation, Atsugi-shi, 243-0198, Japan Rights: Copyright 2014 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.