A Linearization Technique for a Transconductor Using Vertical Bipolar Junction Transistors in a CMOS Process

KWON, Kuduck ; NAM, Ilku

In: IEEE transactions on microwave theory and techniques, Jg. 61 (2013), Heft 1, S. 195-203

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In this paper, a linearization technique for a transconductor using vertical NPN (V-NPN) bipolar junction transistors (BJTs) in a deep n-well CMOS process is proposed to achieve high linearity performance without degrading power efficiency and noise performance. The proposed transconductor consists of a V-NPN BJT pseudodifferential transconductor (PDT) and a V-NPN BJT fully differential transconductor (FDT). The linearity of the proposed transconductor is improved by canceling the negative peak value of gm in the FDT with the positive one in the PDT and by making overall gm of the proposed transconductor close to zero. To verify the proposed linearization method, an RF amplifier and a first-order Gm-C low-pass filter adopting the proposed transconductor are designed and implemented in a 0.18-μm deep n-well CMOS process. The implemented RF amplifier and Gm-C low-pass filter achieve 5.8- and 8.5-dB improvements over conventional circuits in the output-referred third-order intercept point, respectively.

Titel:	A Linearization Technique for a Transconductor Using Vertical Bipolar Junction Transistors in a CMOS Process
Autor/in / Beteiligte Person:	KWON, Kuduck ; NAM, Ilku
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE transactions on microwave theory and techniques, Jg. 61 (2013), Heft 1, S. 195-203
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 18 ref 1
ISSN:	0018-9480 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Optics Optique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Amplificateurs Amplifiers Filtres de fréquence Frequency filters Amplificateur radiofréquence Radiofrequency amplifiers Circuit différentiel Differential circuit Circuito diferencial Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Filtre passe bas Low pass filter Filtro paso bajo Haute performance High performance Alto rendimiento Implémentation Implementation Implementación Linéarisation Linearization Linearización Linéarité Linearity Linearidad Ordre 1 First order Orden 1 Ordre 3 Third order Orden 3 Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Transconducteur Transconductor Transistor bipolaire Bipolar transistor Transistor bipolar Transistor jonction Junction transistors Transistor n p n n p n transistor Transistor vertical Vertical transistor Point d'interception Intercept point CMOS deep n-well fully differential transconductor (FDT) linearization technique pseudodifferential transconductor (PDT) vertical bipolar junction transistor (BJT)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Samsung Electronics Company Ltd., Suwon 444-370, Korea, Republic of ; Department of Electrical Engineering, Pusan National University, Busan 609-735, Korea, Republic of Rights: Copyright 2014 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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