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Impact of fluorine admixture, hydrogen loading, and exposure to ArF excimer laser on photoluminescence of bismuth defects in amorphous silica

TRUKHIN, Anatoly ; TETERIS, Janis ; et al.
In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 362 (2013), S. 180-184
academicJournal - print, 13 ref

Titel:
Impact of fluorine admixture, hydrogen loading, and exposure to ArF excimer laser on photoluminescence of bismuth defects in amorphous silica
Autor/in / Beteiligte Person: TRUKHIN, Anatoly ; TETERIS, Janis ; BAZAKUTSA, Aleksey ; GOLANT, Konstantin
Link:
Zeitschrift: Journal of non-crystalline solids, Jg. 362 (2013), S. 180-184
Veröffentlichung: Oxford: Elsevier, 2013
Medientyp: academicJournal
Umfang: print, 13 ref
ISSN: 0022-3093 (print)
Schlagwort:
  • Crystallography
  • Cristallographie cristallogenèse
  • Chemical industry parachemical industry
  • Industrie chimique et parachimique
  • Condensed state physics
  • Physique de l'état condensé
  • Sciences exactes et technologie
  • Exact sciences and technology
  • Physique
  • Physics
  • Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques
  • Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties
  • Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement
  • Optical properties and condensed-matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation
  • Propriétés optiques des couches minces
  • Optical properties of specific thin films
  • Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie
  • Cross-disciplinary physics: materials science; rheology
  • Science des matériaux
  • Materials science
  • Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie
  • Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy
  • Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.)
  • Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.)
  • Dépôt assisté par faisceaux électroniques et ioniques; placage ionique
  • Ion and electron beam-assisted deposition; ion plating
  • Bismuth
  • Dopage
  • Doping
  • Défaut
  • Defects
  • Dépôt chimique phase vapeur
  • CVD
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  • Plasma deposition
  • Irradiation UV
  • Ultraviolet irradiation
  • Irradiación UV
  • Laser excimère
  • Excimer lasers
  • Photoluminescence
  • Rayonnement IR proche
  • Near infrared radiation
  • Recombinaison porteur charge
  • Charge carrier recombination
  • Recombinación portador carga
  • Recombinaison électron trou
  • Electron-hole recombination
  • Restauration (propriété)
  • Recovery (properties)
  • Restauración (propiedad)
  • Silice
  • Silica
  • Silicium
  • Silicon
  • Spectre IR proche
  • Near infrared spectrum
  • Espectro IR próximo
  • Trou interconnexion
  • Via hole
  • Agujero interconexión
  • 8115G
  • 8115J
  • Substrat SiO2
  • Fluorine
  • Hydrogen
  • Oxygen influence
  • SiO2-Bi
  • Time: 7866
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: PASCAL Archive
  • Sprachen: English
  • Original Material: INIST-CNRS
  • Document Type: Article
  • File Description: text
  • Language: English
  • Author Affiliations: Institute of Solid State Physics, University of Latvia, Latvia ; Kotel'nikov Institute of Radio-Engineering and Electronics of RAS, Russian Federation
  • Rights: Copyright 2014 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS
  • Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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