Comparison between TCAD simulated and measured carrier lifetimes in CMOS photodiodes using the Open Circuit Voltage Decay method

MARCELOT, O ; MAGNAN, P

In: Solid-state electronics, Jg. 81 (2013), S. 135-139

academicJournal - print, 21 ref

The control and prediction of minority carrier lifetime are crucial for the design of photodiodes, especially for CMOS image sensors, because signal electrons must be captured before recombination. Analytic models have been developed but do not allow accurate and reliable lifetime estimations according to complex photodiode architecture. In this work, we show for the first time that mixed-mode TCAD simulations produce accurate and reliable results for realistic photodiode designs. To arrive at this conclusion, we have performed measurements and simulations on two different photodiodes using the Open Circuit Voltage Decay method.

Titel:	Comparison between TCAD simulated and measured carrier lifetimes in CMOS photodiodes using the Open Circuit Voltage Decay method
Autor/in / Beteiligte Person:	MARCELOT, O ; MAGNAN, P
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Solid-state electronics, Jg. 81 (2013), S. 135-139
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier, 2013
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 21 ref
ISSN:	0038-1101 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dispositifs optoélectroniques Optoelectronic devices Dispositifs à images Imaging devices Dispositif optoélectronique Optoelectronic device Dispositivo optoelectrónico Capteur image CMOS CMOS image sensors Conception assistée Computer aided design Concepción asistida Conception circuit Circuit design Diseño circuito Durabilité Durability Durabilidad Durée vie porteur charge Carrier lifetime Etude comparative Comparative study Estudio comparativo Fiabilité Reliability Fiabilidad Méthode analytique Analytical method Método analítico Photodiode Fotodiodo Porteur minoritaire Minority carrier Portador minoritario Silicium Silicon Silicio Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Tension circuit ouvert Open circuit voltage Lifetime Simulation TCAD
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Université de Toulouse, ISAE, Image Sensor Research Team. 10 Av. Edouard Belin, 31055 Toulouse, France Rights: Copyright 2014 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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