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We report an experimental comparative study of graphene layers produced by micromechanical cleavage of bulk graphite materials of different origins and graphite films obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Structural characteristics of these materials were evaluated using Raman spectroscopy and electron microscopy. Field effect transistors (FETs) based on the PECVD graphene were produced using electron beam lithography. Conductivity, carrier mobility and other characteristics of the PECVD graphene obtained from Raman and FET tests were similar to the properties of graphene flakes obtained from bulk graphite materials. Taking into account the scalability of the CVD fabrication, these results confirm the possible industrial use of graphene films obtained by this method.

Titel:	Structural and charge transport characteristics of graphene layers obtained from CVD thin film and bulk graphite materials
Autor/in / Beteiligte Person:	TYURNINA, Anastasia V ; TSUKAGOSHI, Kazuhito ; HIURA, Hidefumi ; OBRAZTSOU, Alexander N
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Carbon (New York, NY), Jg. 52 (2013), S. 49-55
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier, 2013
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 34 ref
ISSN:	0008-6223 (print)
Schlagwort:	Chemistry Chimie Energy Énergie Chemical industry parachemical industry Industrie chimique et parachimique Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjects Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjets Physics Physique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Matériaux particuliers Specific materials Fullerènes et matériaux apparentés; diamants, graphite Fullerenes and related materials; diamonds, graphite Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Sciences appliquees Applied sciences Electronique Electronics Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Clivage Cleavage Couche mince Thin films Dépôt chimique phase vapeur CVD Etude comparative Comparative study Estudio comparativo Etude expérimentale Experimental study Film Films Graphite Graphène Graphene Microscopie électronique Electron microscopy Mobilité porteur charge Carrier mobility Méthode PECVD PECVD Phénomène transport Transport processes Spectre Raman Raman spectra Spectrométrie Raman Raman spectroscopy Transistor effet champ Field effect transistors 8105U 8530T
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Physics, M.V. Lomonosov Moscow State University, Moscow 119991, Russian Federation ; International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan ; Green Innovation Research Laboratories, NEC Corporation, Tsukuba 305-8501, Japan ; Department of Physics and Mathematics, University of Eastern Finland, Joensuu 80101, Finland Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Physics and materials science

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Structural and charge transport characteristics of graphene layers obtained from CVD thin film and bulk graphite materials