Einzeltreffer — DigiBib

In this paper, the behavior of radio frequency (RF) CMOS noise up to 24 GHz is analyzed and verified with measurements over a wide range of bias voltages and channel lengths. For the first time, approaches for excess noise factor modeling are validated versus measurements. Furthermore, important RF CMOS figures of merit are examined over many CMOS generations. With the scaling of CMOS technology, optimum RF performance is shown to be shifted from higher moderate toward lower moderate inversion, providing important guidelines for RFIC design. The results are validated with the charge-based EKV3 compact model, which considers short-channel effects such as channel length modulation, velocity saturation, and carrier heating.

Titel:	CMOS Small-Signal and Thermal Noise Modeling at High Frequencies
Autor/in / Beteiligte Person:	ANTONOPOULOS, Angelos ; BUCHER, Matthias ; PAPATHANASIOU, Kostas ; MAVREDAKIS, Nikolaos ; MAKRIS, Nikolaos ; RUPENDRA KUMAR, SHARMA ; SAKALAS, Paulius ; SCHROTER, Michael
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 11, S. 3726-3733
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 57 ref
ISSN:	0018-9383 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits hyperfréquences, circuits intégrés hyperfréquences, lignes de transmission hyperfréquences, circuits à ondes submillimétriques Microwave circuits, microwave integrated circuits, microwave transmission lines, submillimeter wave circuits Bruit thermique Thermal noise Ruido térmico Canal court Short channel Canal corto Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Circuit intégré radiofréquence Radiofrequency integrated circuits Comportement thermique Thermal behavior Comportamiento térmico Conception circuit intégré Integrated circuit design Conception circuit Circuit design Diseño circuito Conception compacte Compact design Concepción compacta Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Facteur bruit Noise factor Factor ruido Facteur mérite Figure of merit Factor mérito Figure bruit Noise figure Figura ruido Haute fréquence High frequency Alta frecuencia Modélisation Modeling Modelización Onde millimétrique Millimetric wave Onda milimétrica Radiofréquence Radiofrequency Radiofrecuencia Régime signal faible Small signal behavior Régimen señal débil Signal faible Small signal Señal débil Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie MOS MOS technology Tecnología MOS Tension polarisation Bias voltage Voltage polarización Transistor MOSFET MOSFET Compact model high-frequency (HF) noise induced gate noise metal―oxide―semiconductor field-effect transistor (MOSFET) millimeter wave moderate inversion (MI) radio frequency (RF) scaling technology computer aided design (TCAD)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: School of Electronic and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania 73100, Greece ; Semiconductor Physics Institute of Center for Physical Sciences and Technology, Vilnius 01108, Lithuania ; Technical University of Dresden, Dresden 01069, Germany ; University of California, San Diego, CA 92103, United States Rights: Copyright 2014 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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CMOS Small-Signal and Thermal Noise Modeling at High Frequencies