6.8 mW 15 dBm IIP3 CMOS common-gate LNA employing post-linearisation technique

BENQING, GUO ; GUANGJUN, WEN ; et al.

In: Electronics letters, Jg. 50 (2014), Heft 3, S. 149-151

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A linearised differential common-gate CMOS low-noise amplifier (LNA) is proposed. The linearity is improved by a cross-coupled post-distortion technique, employing PMOS in a weak inversion region as an auxiliary field effect transistor to cancel the third-order nonlinear currents of a common-gate LNA and impair the related second-order nonlinear currents. Meanwhile, the resulting noise figure is little affected. The LNA implemented in a 0.18 μm CMOS technology demonstrates that IIP3 and gain have about 8.2 and 1.5 dB improvements in the designed frequency band, respectively. A NF of 3.4 dB is obtained with a power dissipation of 6.8 mW under a 1.8 V power supply.

Titel:	6.8 mW 15 dBm IIP3 CMOS common-gate LNA employing post-linearisation technique
Autor/in / Beteiligte Person:	BENQING, GUO ; GUANGJUN, WEN ; SHIQUAN, AN
Link:	Full Text Finder (Volltext) View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Electronics letters, Jg. 50 (2014), Heft 3, S. 149-151
Veröffentlichung:	Stevenage: Institution of Engineering and Technology, 2014
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 7 ref
ISSN:	0013-5194 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Optics Optique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Amplificateurs Amplifiers Circuits hyperfréquences, circuits intégrés hyperfréquences, lignes de transmission hyperfréquences, circuits à ondes submillimétriques Microwave circuits, microwave integrated circuits, microwave transmission lines, submillimeter wave circuits Alimentation électrique Power supply Alimentación eléctrica Amplificateur faible bruit Low noise amplifier Amplificador bajo ruido Amplificateur hyperfréquence Microwave amplifier Amplificador hiperfrecuencia Dissipation énergie Energy dissipation Disipación energía Effet non linéaire Non linear effect Efecto no lineal Générateur électrique Electric generator Generador eléctrico Inversion Inversión Linéarisation Linearization Linearización Linéarité Linearity Linearidad Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Transistor effet champ Field effect transistor Transistor efecto campo Grille commune Common gate Rejilla Común
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: No. 38 Research Institute of CETC, Hefei, China ; Department of Communication and Information Engineering, UESTC, Chengdu, China Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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