Einzeltreffer — DigiBib

With the continued maturation of III—V nanowire research, expectations of material quality should be concomitantly raised. Ideally, III—V nanowires integrated on silicon should be entirely free of extended planar defects such as twins, stacking faults, or polytypism, position-controlled for convenient device processing, and gold-free for compatibility with standard complementary metal—oxide—semiconductor (CMOS) processing tools. Here we demonstrate large area vertical GaAsxSb1-x nanowire arrays grown on silicon (111) by molecular beam epitaxy. The nanowires' complex faceting, pure zinc blende crystal structure, and composition are mapped using characterization techniques both at the nanoscale and in large-area ensembles. We prove unambiguously that these gold-free nanowires are entirely twin-free down to the first bilayer and reveal their three-dimensional composition evolution, paving the way for novel infrared devices integrated directly on the cost-effective Si platform.

Titel:	Gold-Free Ternary III-V Antimonide Nanowire Arrays on Silicon: Twin-Free down to the First Bilayer
Autor/in / Beteiligte Person:	CONESA-BOJ, Sònia ; KRIEGNER, Dominik ; HAN, Xiang-Lei ; PLISSARD, Sébastien ; WALLART, Xavier ; STANGL, Julian ; I MORRAL, Anna Fontcuberta ; CAROFF, Philippe
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Nano letters (Print), Jg. 14 (2014), Heft 1, S. 326-332
Veröffentlichung:	Washington, DC: American Chemical Society, 2014
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 60 ref
ISSN:	1530-6984 (print)
Schlagwort:	General chemistry, physical chemistry Chimie générale, chimie physique Crystallography Cristallographie cristallogenèse Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjects Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjets Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Structure des liquides et des solides; cristallographie Structure of solids and liquids; crystallography Nanomatériaux : agrégats, nanoparticules, nanotubes et nanocristaux Nanoscale materials: clusters, nanoparticles, nanotubes, and nanocrystals Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Nanomatériaux et nanostructures : fabrication et caractèrisation Nanoscale materials and structures: fabrication and characterization Matériaux nanocristallins Nanocrystalline materials Fils quantiques Quantum wires Méthodes de nanofabrication Methods of nanofabrication Bicouche Bilayers Défaut cristallin Crystal defects Défaut empilement Stacking faults Défaut plan Plane defects Défaut étendu Extended defects Echelle nanométrique Nanometer scale Epitaxie jet moléculaire Molecular beam epitaxy Nanofil Nanowires Nanomatériau Nanostructured materials Nanostructure Nanostructures Or Gold Polytypisme Polytypism Réseau(arrangement) Arrays Semiconducteur Semiconductor materials Structure blende Blende structure Estructura blenda Structure cristalline Crystal structure Synthèse nanomatériau Nanomaterial synthesis Síntesis nanomaterial Zinc 8107B 8107V Substrat silicium Time: 6146 8116
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 1015 Lausanne, Switzerland ; Institute of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler University Linz, 4040 Linz, Austria ; Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, UMR CNRS 8520, Avenue Poincaré, C.S. 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq, France ; Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, 2628CJ Delft, Netherlands ; Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT 0200, Australia Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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Gold-Free Ternary III-V Antimonide Nanowire Arrays on Silicon: Twin-Free down to the First Bilayer