Modeling 20-nm Germanium FinFET With the Industry Standard FinFET Model

KHANDELWAL, Sourabh ; DUARTE, Juan Pablo ; et al.

In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 7, S. 711-713

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In this letter, we present modeling results for germanium p-type FinFETs using the industry standard Berkeley Spice Common Multi-gate Field Effect Transistor (BSIM-CMG) model. The effect of perpendicular electrical field on hole mobility in germanium FinFETs is found to be different from silicon FinFETs. We present an updated Ge mobility equation to account for this difference. With this single update, BSIM-CMG agrees very well with the measured I―V data of Ge FinFETs with a gate-length from 130 to 20 nm. We conclude that a production quality standard model is available for simulation of circuits employing p-type Ge FinFET.

Titel:	Modeling 20-nm Germanium FinFET With the Industry Standard FinFET Model
Autor/in / Beteiligte Person:	KHANDELWAL, Sourabh ; DUARTE, Juan Pablo ; YOGESH SINGH, CHAUHAN ; CHENMING, HU
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 7, S. 711-713
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2014
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 12 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Champ électrique Electric field Campo eléctrico Conception compacte Compact design Concepción compacta Germanium Germanio Mise à jour Updating Actualización Mobilité trou Hole mobility Movilidad agujero Modélisation Modeling Modelización Norme performance Performance standard Norma calidad Programme SPICE SPICE Qualité production Production quality Calidad producción Semiconducteur type p p type semiconductor Semiconductor tipo p Silicium Silicon Silicio Technologie autoalignée Self aligned technology Tecnología rejilla autoalineada Transistor MOSFET MOSFET Transistor effet champ Field effect transistor Transistor efecto campo Transistor grille double Dual gate transistor Transistor de compuerta doble Modèle BSIM BSIM model Modelo BSIM Montage grille commune Common grid configuration Configuración de rejilla común BSIM-CMG FinFETs compact models
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California at Berkeley, Berkeley, CA 94720, United States ; Department of Electrical Engineering, IIT Kanpur, Kanpur 208016, India Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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