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Effect of LaNiO3 buffer layer on dielectric and tunable properties of Pb0.82La0.08Sr0.1Ti0.98O3 thin films on Pt/Ti/SiO2/Si substrates

LIU, LIU ; MINGHUA, TANG ; et al.
In: Journal of crystal growth, Jg. 404 (2014), S. 136-139
academicJournal - print, 27 ref

Titel:
Effect of LaNiO3 buffer layer on dielectric and tunable properties of Pb0.82La0.08Sr0.1Ti0.98O3 thin films on Pt/Ti/SiO2/Si substrates
Autor/in / Beteiligte Person: LIU, LIU ; MINGHUA, TANG ; ZHENHUA, TANG ; DINGLIN, XU ; LINQI, LI ; YICHUN, ZHOU
Link:
Zeitschrift: Journal of crystal growth, Jg. 404 (2014), S. 136-139
Veröffentlichung: Amsterdam: Elsevier, 2014
Medientyp: academicJournal
Umfang: print, 27 ref
ISSN: 0022-0248 (print)
Schlagwort:
  • Crystallography
  • Cristallographie cristallogenèse
  • Geology
  • Géologie
  • Metallurgy, welding
  • Métallurgie, soudage
  • Sciences exactes et technologie
  • Exact sciences and technology
  • Physique
  • Physics
  • Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques
  • Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties
  • Propriétés et matériaux diélectriques, piézoélectriques et ferroélectriques
  • Dielectrics, piezoelectrics, and ferroelectrics and their properties
  • Couches minces diélectriques
  • Dielectric thin films
  • Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie
  • Cross-disciplinary physics: materials science; rheology
  • Science des matériaux
  • Materials science
  • Méthodes de croissance cristalline; physique de la croissance cristalline
  • Methods of crystal growth; physics of crystal growth
  • Croissance en solution
  • Growth from solutions
  • Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie
  • Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy
  • Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.)
  • Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.)
  • Constante diélectrique
  • Permittivity
  • Couche mince diélectrique
  • Couche mince
  • Thin films
  • Couche tampon
  • Buffer layer
  • Capa tampón
  • Croissance cristalline
  • Crystal growth
  • Diélectrique
  • Dielectric materials
  • Dieléctrico
  • Dépôt chimique phase vapeur
  • CVD
  • Effet fréquence
  • Frequency effect
  • Efecto frecuencia
  • Ferroélectrique
  • Ferroelectric materials
  • Material ferroeléctrico
  • Matériau diélectrique
  • Méthode en solution
  • Growth from solution
  • Método en solución
  • Perte diélectrique
  • Dielectric losses
  • Procédé sol gel
  • Sol-gel process
  • Propriété diélectrique
  • Dielectric properties
  • 8110D
  • 8115G
  • Substrat LaNiO3
  • Substrat SiO2
  • Substrat platine
  • Substrat silicium
  • Substrat titane
  • A1. Characterization
  • A2. Growth from solutions
  • A3. Chemical vapor deposition processes
  • B1. Perovskites
  • B2. Dielectric materials
  • B3. Filters
  • Time: 7755 8110
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: PASCAL Archive
  • Sprachen: English
  • Original Material: INIST-CNRS
  • Document Type: Article
  • File Description: text
  • Language: English
  • Author Affiliations: Key Laboratory for Low Dimensional Materials and Application Technology of Ministry of Education, Xiangtan University, Xiangtan, Hunan 411105, China
  • Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS
  • Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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