Einzeltreffer — DigiBib

By nanocompositing Ge2Sb2Te5 and SnSe2, the electrical and thermal proprieties of Ge2Sb2Te5/SnSe2 multilayer films for phase change random access memory (PCRAM) are better than those of Ge2Sb2Te5 films. The crystallization temperature rises and can be controlled. The resistance gap can reach approximately five orders of magnitude to ensure high data reliability. The activity energy (Ea) is more than 2.60 eV and the temperature for 10 year data retention reach 110°C. The analysis of both XRD patterns and TEM images confirmed the reversible phase change transition between amorphous and crystalline state in Ge2Sb2Te5/SnSe2 nanocomposite multilayer films. According to transient photo reflectance traces, the speed of crystallization process was about 33 ns. Among different Ge2Sb2Te5/SnSe2 multilayer films, the film constitute of [Ge2Sb2Te5 (4nm)/SnSe2(10nm)]7 showed better properties and was manufactured by CMOS technology to phase change memory (PCM) cells. This result revealed that the Ge2Sb2Te5/SnSe2 nanocomposite multilayer film is a promising phase change material.

Titel:	Ge2Sb2Te5/SnSe2 nanocomposite multilayer thin films for phase change memory application
Autor/in / Beteiligte Person:	XIAOYI, FENG ; TING, WEN ; JIWEI, ZHAI ; TIANSHU, LAI ; CHANGZHOU, WANG ; SANNIAN, SONG ; ZHITANG, SONG
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Applied surface science, Jg. 316 (2014), S. 286-291
Veröffentlichung:	Amsterdam: Elsevier, 2014
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 18 ref
ISSN:	0169-4332 (print)
Schlagwort:	General chemistry, physical chemistry Chimie générale, chimie physique Crystallography Cristallographie cristallogenèse Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjects Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjets Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Couche mince Thin films Facteur réflexion Reflectivity Matériau composite Composite materials Multicouche Multilayers Nanocomposite Nanocomposites Nanomatériau Nanostructured materials Transformation phase Phase transformations Multilayer film Optical reflectivity Phase structure
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Function Materials Research Laboratory, Tongji University, Siping Road 1239, Shanghai 200092, China ; State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technology, Department of Physics, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China ; Thin Film Optoelectronic Technology Centre, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China ; State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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Ge2Sb2Te5/SnSe2 nanocomposite multilayer thin films for phase change memory application