Einzeltreffer — DigiBib

We realized metal-ferroelectric-metal (MFM) capacitors comprising high-quality ferroelectric lead zirconate titanate (Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 or PZT) thin films on an LaNiO3/poly-Si/titanium nitride (TiN)/SiO2 integrated on a 100 mm Si wafer. Promising effective piezoelectric coefficient and remnant polarization of 53 pm/V and 19.2 μC/cm2, respectively, are obtained for the 100 nm-PZT/20 nm-LNO stack. Further analysis of the samples indicates the presence of a passive layer, possibly near the Ti/PZT interface at the top electrode. A leakage current model has been used to explain the obtained current density-electric field curves. In this model, diffusion limited transport has been assumed in which the injection is interface-controlled. Based on the capacitance and the leakage current measurements, the thickness and dielectric constant values of the passive layer are estimated to be 2.1 nm and 23, respectively. The observed apparent low barrier height value of 0.32 eV is attributed to ferroelectric polarization related phenomena. A good agreement between measurement and leakage current model is obtained.

Titel:	Analysis of thin-film PZT/LNO stacks on an encapsulated TiN electrode
Autor/in / Beteiligte Person:	KALELI, B ; NGUYEN, M. D ; SCHMITZ, J ; WOLTERS, R. A. M ; HUETING, R. J. E
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Micro/Nano Devices and Systems 2013: An open thematic journal issue, Jg. 119 (2014), S. 16-19
Veröffentlichung:	Amsterdam: Elsevier, 2014
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 36 ref
ISSN:	0167-9317 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Structure des liquides et des solides; cristallographie Structure of solids and liquids; crystallography Microscopies électronique, ionique et en champ proche Electron, ion, and scanning probe microscopy Microscopies en champ proche: microscopies tunnel, à force atomique, optique, à force magnétique, etc Scanning probe microscopy: scanning tunneling, atomic force, scanning optical, magnetic force, etc Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés et matériaux diélectriques, piézoélectriques et ferroélectriques Dielectrics, piezoelectrics, and ferroelectrics and their properties Propriétés diélectriques des solides et des liquides Dielectric properties of solids and liquids Permittivité (fonction diélectrique) Permittivity (dielectric function) Piézoélectricité et effets électromécaniques Piezoelectricity and electromechanical effects Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Dispositifs diélectriques et dispositifs à base de verre et de solides amorphes Dielectric, amorphous and glass solid devices Composé IV-VI IV-VI compound Compuesto IV-VI Capacité électrique Capacitance Capacitancia Champ électrique Electric field Campo eléctrico Composé quaternaire Quaternary compound Compuesto cuaternario Condensateur ferroélectrique Ferroelectric capacitors Constante diélectrique Permittivity Constante dieléctrica Constante piézoélectrique Piezoelectric constant Constante piezoeléctrica Couche mince Thin film Capa fina Courant fuite Leakage current Corriente escape Densité courant Current density Densidad corriente Diffusion(transport) Diffusion Effet champ électrique Electric field effect Efecto campo eléctrico Empilement Stacking Apilamiento Epaisseur Thickness Espesor Ferroélectrique Ferroelectric materials Material ferroeléctrico Hauteur barrière Barrier height Altura barrera Interface Interfase Mesure courant électrique Electric current measurement Microscopie force magnétique Magnetic force microscopy Microscopía fuerza magnética Mode empilement Stacking sequence Modo apilamiento Nitrure de titane Titanium nitride Titanio nitruro Oxyde de silicium Silicon oxides PZT Pastille électronique Wafer Pastilla electrónica Piézoélectricité Piezoelectricity Piezoelectricidad Piézoélectrique Piezoelectric materials Piezoeléctrica Polarisation Polarization Polarización Titanate de plomb Lead titanates Zirconate de plomb Lead zirconates 6630P 6837R Pb(Zr,Ti)O3 SiO2 TiN Ferroelectrics Piezoelectric effect Time: 7784
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, Netherlands ; SolMateS BV, Drienerlolaan 5 (Bldg. 46), 7522 NB Enschede, Netherlands ; International Training Institute for Materials Science (ITIMS), Hanoi University of Science and Technology, No. 1 Dai Co Viet Road, Hanoi, Viet Nam ; NXP Semiconductors Eindhoven, High Tech Campus 46, 5656 AE Eindhoven, Netherlands Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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Analysis of thin-film PZT/LNO stacks on an encapsulated TiN electrode