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Un dispositif expérimental a été conçu pour analyser in situ la croissance de couches minces de diamant dans un réacteur CVD assisté par un plasma micro-ondes par spectroscopie Raman. Pour cela, nous avons utilisé un laser Nd :YAG pulsé. Chaque tir laser est synchronisé avec l'ouverture du spectromètre. On peut ainsi obtenir des informations en temps réel sur la couche mince en cours de croissance au travers de l'émission du plasma et de l'émission thermique du substrat (la température du substrat est comprise entre 700 et 1000°C) qui sont des phénomènes 10 à 100 fois plus lumineux que l'émission Raman. A l'aide de ce dispositif expérimental, nous sommes capables de détecter de 15 à 30 μg/cm2 de diamant en surface d'un substrat. Nous avons étudié la croissance de quelques couches de diamant sur un substrat d'alumine α. L'allure des spectres nous donne des informations sur l'incorporation de phases parasites, l'intensité des signaux sur la cinétique de croissance, la position de la raie Raman du diamant sur l'état de contrainte dans la couche en cours de croissance.

Titel:	In situ pulsed Raman study of the growth process of diamond films in a microwave plasma assisted CVD reactor
Autor/in / Beteiligte Person:	MERMOUX, M ; FAYETTE, L ; MARCUS, B ; ROSMAN, N ; ABELLO, L ; LUCAZEAU, G
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Analusis (Imprimé), Jg. 23 (1995), Heft 7, S. 325-332
Veröffentlichung:	Les Ulis: EDP Sciences, 1995
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 41 ref
ISSN:	0365-4877 (print)
Schlagwort:	Analytical chemistry Chimie analytique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Non métal Nonmetals Couche mince Thin films Croissance cristalline en phase vapeur Crystal growth from vapors Diamant Diamonds Etude expérimentale Experimental study In situ Mécanisme croissance Growth mechanism Mecanismo crecimiento Méthode CVD CVD Plasma Spectre Raman Raman spectra C
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: CNRS ENSEEG, URA 413 lab. sci. surfaces matériaux carbonés, 38402 Saint-Martin-d'Hères, France ; CNRS ENSEEG, URA D1213 lab. ionique électrochimie solide, 38402 Saint-Martin-d'Hères, France Rights: Copyright 1996 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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In situ pulsed Raman study of the growth process of diamond films in a microwave plasma assisted CVD reactor