GaAs MQW modulators integrated with silicon CMOS

GOOSSEN, K. W ; WALKER, J. A ; et al.

In: IEEE photonics technology letters, Jg. 7 (1995), Heft 4, S. 360-362

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We demonstrate integration of GaAs-AlGaAs multiple quantum well modulators to silicon CMOS circuitry via flip-chip solder-bonding followed by substrate removal. We obtain 95% device yield for 32 × 32 arrays of devices with 15 micron solder pads. We show operation of a simple circuit composed of a modulator and a CMOS transistor.

Titel:	GaAs MQW modulators integrated with silicon CMOS
Autor/in / Beteiligte Person:	GOOSSEN, K. W ; WALKER, J. A ; LENTINE, A. L ; MILLER, D. A. B ; D'ASARO, L. A ; HUI, S. P ; TSENG, B ; LEIBENGUTH, R ; KOSSIVES, D ; BACON, D. D ; DAHRINGER, D ; CHIROVSKY, L. M. F
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE photonics technology letters, Jg. 7 (1995), Heft 4, S. 360-362
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1995
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 10 ref
ISSN:	1041-1135 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Optics Optique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines classiques de la physique (y compris les applications) Fundamental areas of phenomenology (including applications) Eléments, dispositifs, et systèmes optiques Optical elements, devices, and systems Processeurs, corrélateurs et modulateurs optiques Optical processors, correlators, and modulators Sciences appliquees Applied sciences Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits optiques et optoélectroniques Optical and optoelectronic circuits Optique intégrée. Fibres et guides d'onde optiques Integrated optics. Optical fibers and wave guides Gallium arséniure Gallium arsenides Modulateur optique Optical modulators Optique intégrée Integrated optics Puits quantique multiple Multiple quantum well Pozo cuántico múltiple Silicium Silicon Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario 4279H GaAs Time: 4282
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: AT&T Bell Laboratories, Holmdel NJ 07733, United States ; AT&T Bell Laboratories, Naperville IL 60566, United States ; AT&T Bell Laboratories, Murray Hill NJ 07974, United States Rights: Copyright 1995 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Physics: optics

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