New low pressure chemical vapor deposition technique for Ge crystalline thin films

YAMAMOTO, M ; HANNA, J.-I ; et al.

In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2508-2510

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A new type of low pressure chemical vapor deposition for Ge thin films was investigated by using a gaseous mixture of GeF4 and Si2H6. At relatively low gas flow ratios of Si2H6/GeF4, etching of Si substrates was observed and the film growth replaced the etching with an increase in the gas flow ratio. The epitaxial growth was achieved at the low temperature of 350-400°C on a Si(100) substrate, and at a higher temperature region polycrystalline growth took place. The experimental results suggested a major contribution of reductive surface reaction of GeF4 activated by Si2H6 to the Ge film growth.

Titel:	New low pressure chemical vapor deposition technique for Ge crystalline thin films
Autor/in / Beteiligte Person:	YAMAMOTO, M ; HANNA, J.-I ; MIYAUCHI, M
Link:	Full Text Finder (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2508-2510
Veröffentlichung:	Melville, NY: American Institute of Physics, 1993
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 9 ref
ISSN:	0003-6951 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Non métal Nonmetals Basse pression Low pressure CVD Couche mince Thin films Epitaxie phase vapeur Vapor phase epitaxy Etude expérimentale Experimental study Germanium Matériau semiconducteur Semiconductor materials Ge
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Tokyo inst. technology, imaging sci. eng. lab., Yokohama, Kanagawa 227, Japan Rights: Copyright 1994 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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