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Dislocation generations mechanisms for GaP on Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition are described. Dislocations are not observed at the GaP/Si interface when the layer thickness is less than 90 nm. The presented high resolution transmission electron microscopy shows two kinds of dislocations with the extra-half plane in the GaP layer and Si substrate. These observations predict that the misfit dislocations are formed at the growth temperature while the dislocations with the extra-half plane in the GaP layer are formed during the cooling process, owing to the difference of the thermal expansion.

Titel:	Dislocation generation mechanisms for GaP on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition
Autor/in / Beteiligte Person:	SOGA, T ; JIMBO, T ; UMENO, M
Link:	Full Text Finder (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2543-2545
Veröffentlichung:	Melville, NY: American Institute of Physics, 1993
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 10 ref
ISSN:	0003-6951 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Structure des liquides et des solides; cristallographie Structure of solids and liquids; crystallography Défauts et impuretés dans les cristaux; microstructure Defects and impurities in crystals; microstructure Observation directe de dislocations et d'autres défauts (par piqûres d'attaque, décoration, microscopie électronique, topographie rx, etc.) Direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, x-ray topography, etc.) Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Composé minéral Inorganic compounds Composé organométallique Organometallic compounds Non métal Nonmetals CVD Composé binaire Binary compounds Couche mince Thin films Croissance cristalline Crystal growth Dislocation Dislocations Etude expérimentale Experimental study Formation défaut Defect formation Formación defecto Gallium phosphure Gallium phosphides Hétérojonction Heterojunctions Interface solide solide Solid-solid interfaces MET TEM Matériau semiconducteur Semiconductor materials Mécanisme formation Formation mechanism Mecanismo formacion Méthode haute résolution High-resolution methods Silicium Silicon Ga P GaP Si
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Nagoya inst. technology, instrument analysis cent., Showa-ku, Nagoya 466, Japan Rights: Copyright 1994 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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Dislocation generation mechanisms for GaP on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition