Structure of (001) GaAs surfaces during epitaxial growth by organometallic chemical vapor deposition

KAMIYA, I ; TANAKA, H ; et al.

In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 23, S. 3206-3208

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Under typical atmospheric pressure (AP) organometallic chemical vapor deposition (OMCVD) growth conditions with trimethylgallium (TMG) and arsine sources, reflectance-difference (RD) spectra show that the (001) GaAs surface is in the d(4×4)-like state. With sufficiently high TMG and low AsH3 exposures, we observe RD spectra similar to those obtained during atomic layer epitaxy (ALE) at lower temperatures.

Titel:	Structure of (001) GaAs surfaces during epitaxial growth by organometallic chemical vapor deposition
Autor/in / Beteiligte Person:	KAMIYA, I ; TANAKA, H ; ASPNES, D. E ; KOZA, M ; BHAT, R
Link:	Full Text Finder (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 23, S. 3206-3208
Veröffentlichung:	Melville, NY: American Institute of Physics, 1993
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 13 ref
ISSN:	0003-6951 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Surfaces et interfaces; couches minces et trichites (structure et propriétés non électroniques) Surfaces and interfaces; thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Surfaces solides et interfaces solide-solide Solid surfaces and solid-solid interfaces Structure et topographie de surface Surface structure and topography Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Composé minéral Inorganic compounds Composé organométallique Organometallic compounds CVD Coefficient réflexion Reflectance Coeficiente reflexión Composé binaire Binary compounds Croissance cristalline Crystal growth Epitaxie Epitaxy Etude expérimentale Experimental study Gallium arséniure Gallium arsenides Matériau semiconducteur Semiconductor materials Méthode couche atomique Atomic layer method Método capa atómica Ordre courte distance Short-range order Ordre longue distance Long-range order Pression atmosphérique Atmospheric pressure Structure surface Surface structure As Ga GaAs
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Univ. Illinois, dep. physics, Urbana IL 61801, United States Rights: Copyright 1994 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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