Characterization of ultrashallow p+ profiles by spreading resistance measurements

MINONDO, M ; ROCHE, D ; et al.

In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 5A, S. 2439-2443

academicJournal - print, 11 ref 1

Very shallow p+/n junctions (≤0.1 μm) are required for 0.25 μm complementary metal oxide silicon (CMOS) technologies. Spreading resistance probe (SRP) analysis can quickly give an electrical resistance profile, but the real problem is the conversion of the resistance profile into a concentration profile. On the one hand, a bevel effect has been seen. It modifies the resistance profile shape near the surface region and disappears far away from the bevel edge. In our work, we try to correct for this effect making the assumption that this region gives rise to a parasitic resistance that we can subtract from the spreading resistance.

Titel:	Characterization of ultrashallow p+ profiles by spreading resistance measurements
Autor/in / Beteiligte Person:	MINONDO, M ; ROCHE, D ; JAUSSAUD, C
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 5A, S. 2439-2443
Veröffentlichung:	Tokyo: Japanese journal of applied physics, 1994
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 11 ref 1
ISSN:	0021-4922 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Physics Physique Plasma physics Physique des plasmas Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Structure électronique et propriétés électriques des surfaces, interfaces, couches minces et structures de basse dimensionnalité Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures Transport électronique dans des structures à interface Electronic transport in interface structures Contacts semiconducteur-semiconducteur, jonctions p-n et hétérojonctions d'autres semiconducteurs Other semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions Contact électrique Electric contacts Densité porteur charge Carrier density Effet dimensionnel Size effect Etude expérimentale Experimental study Etude théorique Theoretical study Jonction p p+ p p+ junction Unión p p+ Résistance étalement Spreading resistance Resistencia ensanchamiento
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: CEA CENG, LETI, 38041 Grenoble, France Rights: Copyright 1994 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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