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Epitaxially grown Pb(Zr,Ti)O3 [PZT] films were deposited on (100) MgO substrates by CVD and the effects of deposition parameters on the epitaxial growth of the films were investigated. The films consisting of PZT single phases were deposited from about 0.4 to 0.5 of Pb/(Pb + Zr + Ti) and the epitaxially grown film was obtained near 0.5 of Pb/(Pb + Zr + Ti). Epitaxially grown PZT films were deposited over wide deposition conditions; 600-700°C of the deposition temperature, 1.1-6.7 kPa of the total gas pressure and 64 Pa-1.1 kPa of the oxygen partial pressure.

Titel:	Deposition condition of epitaxially grown PZT films by CVD
Autor/in / Beteiligte Person:	FUNAKUBO, H ; IMASHITA, K ; MATSUYAMA, K ; SHINOZAKI, K ; MIZUTANI, N
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Nippon seramikkusu kyokai gakujutsu ronbunshi, Jg. 102 (1994), Heft 8, S. 795-798
Veröffentlichung:	Tokyo: Nippon seramikkusu kyokai, 1994
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 13 ref
ISSN:	0914-5400 (print)
Schlagwort:	Chemical industry parachemical industry Industrie chimique et parachimique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Métal transition composé Transition element compounds CVD Composé minéral Inorganic compounds Croissance cristalline en phase vapeur Crystal growth from vapors Croissance film Film growth Céramique Ceramics Epitaxie Epitaxy Etude expérimentale Experimental study Mode opératoire Operating mode Método operatorio PZT Plomb titanate Lead titanates Plomb zirconate Lead zirconates O Pb Ti Zr Pb(Zr,Ti)O3
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Tokyo inst. technology, fac. eng., dep. inorganic materials, Meguro-ku Tokyo 152, Japan Rights: Copyright 1994 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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Deposition condition of epitaxially grown PZT films by CVD