Homoepitaxial growth of diamond thin films by electron cyclotron-resonance microwave plasma chemical-vapor-deposition apparatus with CO/H2 gaseous source

KOMORI, M ; MAKI, T ; et al.

In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 582-584

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Homoepitaxy of the diamond thin films has been carried out by employing the ECR microwave plasma CVD apparatus with a CO/H2 gaseous source. From RHEED observation, it appeared that the surface morphology of (100) oriented film was much better than that of the (110) oriented. The (2×1) surface reconstruction remained unchanged even when the film was cooled down in H2 ambient after the epitaxy was completed. Although the synthetic diamond substrates had nonuniformity in their cathodoluminescence patterns, epitaxial films grown onto them offered uniform ones.

Titel:	Homoepitaxial growth of diamond thin films by electron cyclotron-resonance microwave plasma chemical-vapor-deposition apparatus with CO/H2 gaseous source
Autor/in / Beteiligte Person:	KOMORI, M ; MAKI, T ; TAIGEN, KIM ; GEN LIANG, HOU ; SAKAGUCHI, Y ; SAKUTA, K ; KOBAYASHI, T
Link:	Full Text Finder (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 582-584
Veröffentlichung:	Melville, NY: American Institute of Physics, 1993
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 12 ref
ISSN:	0003-6951 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Non métal Non metal No metal Cathodoluminescence Catodoluminiscencia Couche mince Thin film Capa fina Croissance cristalline Crystal growth Crecimiento cristalino Diamant Diamond Diamante Diffraction électron lent LEED diffraction Difracción electrón lenta Diffraction électron réflexion Reflection high energy electron diffraction Difracción electrón reflexión Dépôt chimique phase vapeur Chemical vapor deposition Depósito químico fase vapor Epitaxie Epitaxy Epitaxia Etude expérimentale Experimental study Estudio experimental Homoépitaxie Homoepitaxy Homoepitaxia Morphologie Morphology Morfología Plasma Reconstruction surface Surface reconstruction Reconstrucción superficie Résonance cyclotronique électronique Electron cyclotron resonance Resonancia ciclotrónica electrónica Surface Superficie
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Osaka univ., fac. eng. sci., Toyonaka, Osaka 560, Japan Rights: Copyright 1993 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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