Spatially resolved Raman spectroscopy of a step graded GexSi1-x strain relief structure

TSANG, J. C ; DACOL, F. H ; et al.

In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 10, S. 1146-1148

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The structure of a strain relief region between a Si substrate and a low dislocation density Ge film has been measured by Raman spectroscopy. The composition of the structure has been determined with ~1000 Å resolution in the growth direction, and the upper portions shown to be largely relaxed. The presence of microscopic inhomogeneities in these alloys is suggested.

Titel:	Spatially resolved Raman spectroscopy of a step graded GexSi1-x strain relief structure
Autor/in / Beteiligte Person:	TSANG, J. C ; DACOL, F. H ; MOONEY, P. M ; CHU, J. O ; MEYERSON, B. S
Link:	Full Text Finder (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 10, S. 1146-1148
Veröffentlichung:	Melville, NY: American Institute of Physics, 1993
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 14 ref
ISSN:	0003-6951 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Surfaces et interfaces; couches minces et trichites (structure et propriétés non électroniques) Surfaces and interfaces; thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Surfaces solides et interfaces solide-solide Solid surfaces and solid-solid interfaces Dynamique et vibrations de surface et d'interface Surface and interface dynamics and vibrations Structure et morphologie de couches minces Thin film structure and morphology Non métal Non metal No metal Composition chimique Chemical composition Composición química Couche mince Thin film Capa fina Déplacement raie spectrale Spectral line shift Desplazamiento raya espectral Etude expérimentale Experimental study Estudio experimental Jonction graduelle Graded junction Unión graduada Largeur raie spectrale Spectral line width Anchura raya espectral Relaxation contrainte Stress relaxation Relajación tensión Semiconducteur Semiconductor materials Semiconductor(material) Solution solide Solid solution Solución sólida Spectre Raman Raman spectrum Espectro Raman Système binaire Binary system Sistema binario Couche contrainte Strained layer Système germanium silicium
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: IBM, T. J. Watson res. cent., res. div., Yorktown Heights NY 10598, United States Rights: Copyright 1993 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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