Improvement in radiation hardness of reoxidized nitrided oxide (RNO) in the absence of post-oxidation anneal

YOU-LIN, WU ; JENN-GWO, HWU

In: IEEE electron device letters, Jg. 14 (1993), Heft 1, S. 1-3

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A simple radiation-hard process for rapid thermal reoxidized nitrided oxide (RNO) structures is proposed. This process involves fast pulling (FP) of samples out of the furnace in a mixture of oxygen and nitrogen immediately after the oxidation has been completed. Samples with starting oxides prepared by conventional post-oxidation annealing (POA) are also compared.

Titel:	Improvement in radiation hardness of reoxidized nitrided oxide (RNO) in the absence of post-oxidation anneal
Autor/in / Beteiligte Person:	YOU-LIN, WU ; JENN-GWO, HWU
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Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 14 (1993), Heft 1, S. 1-3
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1993
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 12 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Interfaces Amélioration Improvement Mejoría Capacité MOS MOS capacity Capacidad MOS Caractéristique capacité tension Voltage capacity curve Característica capacidad tensión Défaut irradiation Irradiation defect Defecto irradiación Etude expérimentale Experimental study Estudio experimental Oxynitrure Nitrides oxides Oxinitruro Recuit thermique rapide Rapid thermal annealing Recocido térmico rápido Structure MOS MOS structure Estructura MOS
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: National Taiwan univ., dep. electrical eng., Taipei, Tawain, Province of China Rights: Copyright 1993 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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