Symmetric self-electro-optic effect device array growtn by metalorganic vapor phase epitaxy using GaAs/Al0.04Ga0.96As shallow quantum wells

LEE, S. W ; KIM, T. M ; et al.

In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 11, S. 1176-1178

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A self-electro-optic effect device (SEED) epistructure grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) is demonstrated. The symmetric SEED using GaAs/Al0.04Ga0.96As shallow quantum well (SQW) exhibits a contrast ratio of 2.9 at 5 V bias with 50 pairs of GaAs wells. This high contrast results from the low background carrier concentration of absorption region which is obtained by the temperature controlled compensation of the acceptors and donors. The absorption data suggest that the MOVPE technique is comparable to the MBE technique in growing the high performance SQW epistructure.

Titel:	Symmetric self-electro-optic effect device array growtn by metalorganic vapor phase epitaxy using GaAs/Al0.04Ga0.96As shallow quantum wells
Autor/in / Beteiligte Person:	LEE, S. W ; KIM, T. M ; CHU, K. U ; PARK, S ; JEONG, M. S ; KWON, O'. D
Link:	Full Text Finder (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 11, S. 1176-1178
Veröffentlichung:	Melville, NY: American Institute of Physics, 1993
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 10 ref
ISSN:	0003-6951 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Dispositifs optoélectroniques Optoelectronic devices Aluminium Gallium Arséniure Aluminium Gallium Arsenides Aluminio Galio Arseniuro Composé organométallique Organometallic compound Compuesto organometálico Condensation faisceau moléculaire Molecular beam condensation Condensación haz molecular Dispositif électrooptique Electrooptical device Dispositivo electroóptico Effet électrooptique Electrooptical effect Efecto electroóptico Epitaxie Epitaxy Epitaxia Gallium Arséniure Gallium Arsenides Galio Arseniuro Méthode phase vapeur Growth from vapor Método fase vapor Puits quantique Quantum well Pozo cuántico
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Pohang inst. sci. technology, dep. electronics electrical eng., Pohang 790-600, Korea, Republic of Rights: Copyright 1993 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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