Einzeltreffer — DigiBib

The molecular beam epitaxial (MBE) growth model is extended to account for the electromigration of Si adatoms on both (001) and (111) Si surfaces. Step bunching is predicted to occur at the (111) surface when the heating current has step-down direction. Electromigration-induced formation of a major reconstruction domain at (001) Si is not expected when the growth process is controlled by step kinetics. When the process is controlled by surface transport, the vicinal surface is predicted to be dominated by either the 1×2 or 2×1 domain depending on the direction of the current. Microprobe reflection high-energy electron diffraction (μ-RHEED) observations of MBE growth of the (001) Si surface at temperatures of 750-900°C reveal preferential growth of the SA steps when the heating dc has a step-up direction.

Titel:	High-temperature MBE growth of Si-Direct current heating effects on (111) and (001) vicinal surfaces
Autor/in / Beteiligte Person:	STOYANOV, S. S ; ICHIKAWA, M ; DOI, T
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Japanese journal of applied physics, Jg. 32 (1993), Heft 5A, S. 2047-2051
Veröffentlichung:	Tokyo: Japanese journal of applied physics, 1993
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 18 ref 1
ISSN:	0021-4922 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Physics Physique Plasma physics Physique des plasmas Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Surfaces et interfaces; couches minces et trichites (structure et propriétés non électroniques) Surfaces and interfaces; thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Surfaces solides et interfaces solide-solide Solid surfaces and solid-solid interfaces Dynamique et vibrations de surface et d'interface Surface and interface dynamics and vibrations Structure et morphologie de couches minces Thin film structure and morphology Non métal Non metal No metal Cinétique Kinetics Cinética Condensation faisceau moléculaire Molecular beam condensation Condensación haz molecular Couche mince Thin film Capa fina Croissance cristalline Crystal growth Crecimiento cristalino Diffusion chimique Chemical diffusion Difusión química Electrodiffusion Electrodifusión Epitaxie Epitaxy Epitaxia Etude théorique Theoretical study Estudio teórico Gradin Step Peldaño Mécanisme croissance Growth mechanism Mecanismo crecimiento Semiconducteur Semiconductor materials Semiconductor(material) Silicium Silicon Silicio Structure domaine Domain structure Estructura dominio Surface Superficie Température Temperature Temperatura Step bunching Surface vicinale Vicinal surface
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Hitachi, Ltd, cent. res. lab., Tokyo 185, Japan Rights: Copyright 1993 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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High-temperature MBE growth of Si-Direct current heating effects on (111) and (001) vicinal surfaces