Epitaxial silicon deposition at 300°C with remote plasma processing using SiH4/H2 mixtures

HATTANGADY, S. V ; POSTHILL, J. B ; et al.

In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 3, S. 339-341

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Epitaxial Si films have been deposited on Si(100) at 300°C by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition using SiH4/H2 mixtures with deposition rates as high as 25 Å/min at these low temperatures. Hall measurements of the film show an unintentional doping level of about 1×1017 cm-3 with electron mobilities of 700 cm2V-1s-1. Critical to the process is the in situ cleaning of the silicon substrate surface prior to deposition.

Titel:	Epitaxial silicon deposition at 300°C with remote plasma processing using SiH4/H2 mixtures
Autor/in / Beteiligte Person:	HATTANGADY, S. V ; POSTHILL, J. B ; FOUNTAIN, G. G ; RUDDER, R. A ; MANTINI, M. J ; MARKUNAS, R. J
Link:	Full Text Finder (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 3, S. 339-341
Veröffentlichung:	Melville, NY: American Institute of Physics, 1991
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 18 ref
ISSN:	0003-6951 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Concentration porteur charge Charge carrier concentration Concentración portador carga Couche mince Thin film Capa fina Croissance cristalline Crystal growth Crecimiento cristalino Diffraction électron réflexion Reflection high energy electron diffraction Difracción electrón reflexión Dépôt chimique phase vapeur Chemical vapor deposition Depósito químico fase vapor Effet Hall Hall effect Efecto Hall Epitaxie Epitaxy Epitaxia Etude expérimentale Experimental study Estudio experimental Homoépitaxie Homoepitaxy Homoepitaxia Microscopie électronique transmission Transmission electron microscopy Microscopía electrónica transmisión Non métal Non metal No metal Plasma Semiconducteur Semiconductor materials Semiconductor(material) Silicium Silicon Silicio Support Soporte Traitement surface Surface treatment Tratamiento superficie Support Si
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Research Triangle inst., Research Triangle Park NC 27709-2194, United States Rights: Copyright 1992 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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