Molecular beam epitaxial regrowth on in situ plasma-etched AlAs/AlGaAs heterostructures

CHOQUETTE, K. D ; HONG, M ; et al.

In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1738-1740

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Epitaxial regrowth by solid-source molecular beam epitaxy (MBE) on dry etched heterostructures possessing exposed AlAs surfaces is accomplished for the first time using a vacuum integrated processing. Samples composed of multilayers of AlAs and AlGaAs are patterned with a SiO2 mask and are anisotropically etched using a low damage electron cyclotron resonance (ECR) SiCl4 plasma process. Etched samples are transferred in ultrahigh vacuum between the ECR and MBE chambers to avoid atmospheric exposure before regrowth.

Titel:	Molecular beam epitaxial regrowth on in situ plasma-etched AlAs/AlGaAs heterostructures
Autor/in / Beteiligte Person:	CHOQUETTE, K. D ; HONG, M ; FREUND, R. S ; CHU, S. N. G ; MANNAERTS, J. P ; WETZEL, R. C ; LEIBENGUTH, R. E
Link:	Full Text Finder (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1738-1740
Veröffentlichung:	Melville, NY: American Institute of Physics, 1992
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 16 ref
ISSN:	0003-6951 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Surfaces et interfaces; couches minces et trichites (structure et propriétés non électroniques) Surfaces and interfaces; thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Structures de basse dimensionnalité (superréseaux, puits quantiques, multicouches): structure et propriétés non électroniques Low-dimensional structures (superlattices, quantum well structures, multilayers): structure, and nonelectronic properties Aluminium Arséniure Aluminium Arsenides Aluminio Arseniuro Aluminium Gallium Arséniure Mixte Aluminium Gallium Arsenides Mixed Aluminio Galio Arseniuro Mixto Composé minéral Inorganic compound Compuesto inorgánico Condensation faisceau moléculaire Molecular beam condensation Condensación haz molecular Couche mince Thin film Capa fina Couche multiple Multiple layer Capa múltiple Croissance cristalline Crystal growth Crecimiento cristalino Epitaxie Epitaxy Epitaxia Etude expérimentale Experimental study Estudio experimental Gravure plasma Plasma etching Grabado plasma Masquage Masking Enmascaramiento Résonance cyclotronique électronique Electron cyclotron resonance Resonancia ciclotrónica electrónica Semiconducteur Semiconductor materials Semiconductor(material) Ultravide Ultrahigh vacuum Ultravacío
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: AT&T Bell Laboratories, Murray Hill NJ 07974, United States Rights: Copyright 1992 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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