SiO2 thin film prepared from Si3H8 and O2 by photo-CVD using double excitation

OKUYAMA, M ; FUJIKI, N ; et al.

In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. L908- (3S.)

academicJournal - print, 13 ref 2

Titel:	SiO2 thin film prepared from Si3H8 and O2 by photo-CVD using double excitation
Autor/in / Beteiligte Person:	OKUYAMA, M ; FUJIKI, N ; INOUE, K ; HAMAKAWA, Y
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Zeitschrift:	Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. L908- (3S.)
Veröffentlichung:	Tokyo: Japanese journal of applied physics, 1987
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 13 ref 2
ISSN:	0021-4922 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Physics Physique Plasma physics Physique des plasmas Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Composé minéral Inorganic compound Compuesto mineral Couche mince Thin film Capa fina Croissance cristalline Crystal growth Crecimiento cristalino Dépôt chimique phase vapeur Chemical vapor deposition Depósito químico fase vapor Etude expérimentale Experimental study Estudio experimental Irradiation Irradiación Photosensibilisation Photosensitization Fotosensibilización Rayonnement UV extrême Vacuum ultraviolet radiation Radiación ultravioleta extrema Rayonnement UV Ultraviolet radiation Rayos ultravioleta Silicium IV Oxyde Silicon IV Oxides Silicio IV
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Osaka univ., fac. eng. sci., dep. electrical eng., Toyonaka, Osaka 560, Japan Rights: Copyright 1988 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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