Silicon-on-insulator CMOS transistors in dual electron beam recrystallised polysilicon

HOPPER, G. F ; DAVIS, J. R ; et al.

In: Electronics Letters, Jg. 20 (1984), Heft 12, S. 500-501

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Titel:	Silicon-on-insulator CMOS transistors in dual electron beam recrystallised polysilicon
Autor/in / Beteiligte Person:	HOPPER, G. F ; DAVIS, J. R ; MCMAHON, R. A ; AHMED, H
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Zeitschrift:	Electronics Letters, Jg. 20 (1984), Heft 12, S. 500-501
Veröffentlichung:	London: Institution of Electrical Engineers, 1984
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 3 ref
ISSN:	0013-5194 (print)
Schlagwort:	Substrat silicium sur isolant Electronics Electronique Optics Optique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Faisceau électronique Electron beam Polycristal Polycrystal Recristallisation Recrystallization Silicium Silicon Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Transistor MOS MOS transistor Transistor effet champ Field effect transistor Subject Geographic: Substrat silicium sur isolant
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: GEC, Research Laboratories, Wembley Mddx. HA9 7PP, United Kingdom Rights: Copyright 1985 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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