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应变对In_xGa_(1-x)As能带结构的影响

姚丽
In: 大理学院学报:综合版 / Journal of Dali University, Jg. 11 (2012), Heft 4, S. 32
academicJournal

Titel:
应变对In_xGa_(1-x)As能带结构的影响
Autor/in / Beteiligte Person: 姚丽
Link:
Zeitschrift: 大理学院学报:综合版 / Journal of Dali University, Jg. 11 (2012), Heft 4, S. 32
Veröffentlichung: 2012
Medientyp: academicJournal
ISSN: 1672-2345 (print)
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: China Science & Technology Journal Database
  • Alternate Title: Effect of Stain on Band Structure of In_xGa_(1-x)As

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