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MOS器件直接隧穿栅电流及其对CMOS逻辑电路的影响

唐东峰 张平 龙志林 胡仕刚 吴笑峰
In: 中南大学学报:自然科学版 / Journal of Central South University:Science and Technology, Jg. 44 (2013), Heft 4, S. 1438
academicJournal

Titel:
MOS器件直接隧穿栅电流及其对CMOS逻辑电路的影响
Autor/in / Beteiligte Person: 唐东峰 张平 龙志林 胡仕刚 吴笑峰
Link:
Zeitschrift: 中南大学学报:自然科学版 / Journal of Central South University:Science and Technology, Jg. 44 (2013), Heft 4, S. 1438
Veröffentlichung: 2013
Medientyp: academicJournal
ISSN: 1672-7207 (print)
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: China Science & Technology Journal Database
  • Alternate Title: Direct tunneling gate current of MOSFET and its impact on CMOS logic circuit

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