沉积温度对ALD制备HfO_(2)薄膜结构和性能的影响

赵恒利;杨培志;李赛

In: 半导体技术 / Semiconductor Technology, Jg. 47 (2022), Heft 3, S. 205

academicJournal

Titel:	沉积温度对ALD制备HfO_(2)薄膜结构和性能的影响
Autor/in / Beteiligte Person:	赵恒利;杨培志;李赛
Link:	http://qikan.cqvip.com/article/detail.aspx?id=7106888504&from=journal_article
Zeitschrift:	半导体技术 / Semiconductor Technology, Jg. 47 (2022), Heft 3, S. 205
Veröffentlichung:	2022
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1003-353X (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: China Science & Technology Journal Database Alternate Title: Effects of Deposition Temperature on Structures and Properties of HfO_(2) Thin Films Prepared by ALD

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