SOI CMOS电路稳态寿命试验后漏电失效分析

张宇隆;文宇;郑广州

In: 失效分析与预防 / Failure Analysis and Prevention, Jg. 17 (2022), Heft 3, S. 195

academicJournal

Titel:	SOI CMOS电路稳态寿命试验后漏电失效分析
Autor/in / Beteiligte Person:	张宇隆;文宇;郑广州
Link:	http://qikan.cqvip.com/article/detail.aspx?id=7107690810&from=journal_article
Zeitschrift:	失效分析与预防 / Failure Analysis and Prevention, Jg. 17 (2022), Heft 3, S. 195
Veröffentlichung:	2022
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1673-6214 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: China Science & Technology Journal Database Alternate Title: Failure Analysis of SOI CMOS Circuit After Steady-state Life Test

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