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Transport properties of semiconductor quantum dot structures and proposal of a novel AND/OR device : 半導体量子ドット構造の伝導特性と新しいAND/OR素子の提案

野本, 和正 ; Kazumasa Nomoto [著]
[Kazumasa Nomoto], 2000
Online Hochschulschrift - 1冊

Titel:
Transport properties of semiconductor quantum dot structures and proposal of a novel AND/OR device : 半導体量子ドット構造の伝導特性と新しいAND/OR素子の提案
Autor/in / Beteiligte Person: 野本, 和正 ; Kazumasa Nomoto [著]
Link:
Veröffentlichung: [Kazumasa Nomoto], 2000
Medientyp: Hochschulschrift
Umfang: 1冊
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: National Diet Library Digital Collections - 国立国会図書館デジタルコレクション
  • Sprachen: English
  • Contents Note: 論文目録 / (0001.jp2) -- Contents / p5 (0007.jp2) -- Abstract / p1 (0005.jp2) -- Acknowledgements / p3 (0006.jp2) -- Contents / p5 (0007.jp2) -- List of Figures / p8 (0009.jp2) -- List of Tables / p14 (0012.jp2) -- 1 Introduction / p1 (0013.jp2) -- 1.1 Background / p1 (0013.jp2) -- 1.2 Original works presented in this thesis / p5 (0015.jp2) -- 1.3 Thesis layout / p8 (0017.jp2) -- 2 Tunneling spectroscopy of GaAs QDs using submicrometer-diameter Al₀.₃Ga₀.₇As-GaAs TBRTDs / p11 (0018.jp2) -- 2.1 Introduction / p11 (0018.jp2) -- 2.2 Sample description / p14 (0020.jp2) -- 2.3 Sub-band structure of a TBRTD with a large diameter / p15 (0020.jp2) -- 2.4 Coarse structure of the I-V characteristics / p20 (0023.jp2) -- 2.5 Fine structure in a tunneling current through submicron-diameter TBRTDs / p22 (0024.jp2) -- 2.6 Conclusions / p41 (0033.jp2) -- 3 Tunneling spectroscopy of band structure,surface conduction,2D and OD quantized levels in AlSb-InAs DBRTDs / p43 (0034.jp2) -- 3.1 Introduction / p43 (0034.jp2) -- 3.2 I-V characteristics of AlSb-InAs DBRTDs with diameters down to 20 nm / p45 (0035.jp2) -- 3.3 Transport properties of AlSb-InAs SBDs with various AlSb barrier thicknesses / p54 (0040.jp2) -- 3.4 Conclusions / p65 (0045.jp2) -- 4 Proposal of an AND/OR device using coupled quantum dots / p67 (0046.jp2) -- 4.1 Introduction / p67 (0046.jp2) -- 4.2 Optical I/O method:QD PHB memory / p71 (0048.jp2) -- 4.3 Single electron-photon AND/OR device using CQDs / p73 (0049.jp2) -- 4.4 Discussion / p99 (0062.jp2) -- 4.5 Summary / p103 (0064.jp2) -- 5 Summary / p105 (0065.jp2) -- A Two-band model of a III-V group semiconductor / p109 (0067.jp2) -- B Poole-Frenkel conduction / p111 (0068.jp2) -- References / p113 (0069.jp2) -- List of publications / p122 (0074.jp2)
  • Document Type: 博士論文
  • Language: English
  • Rights: 国立国会図書館/図書館・個人送信限定
  • Notes: 博士論文

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