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LPE growth and characterization of InGaAsP/InP quantum well structures and its application to semiconductor lasers : 液相エピタキシャル法による量子井戸層の成長および評価と半導体レーザーへの応用に関する研究

佐々井, 洋一 ; 佐々井洋一 [著]
1987
Online Hochschulschrift

Titel:
LPE growth and characterization of InGaAsP/InP quantum well structures and its application to semiconductor lasers : 液相エピタキシャル法による量子井戸層の成長および評価と半導体レーザーへの応用に関する研究
Autor/in / Beteiligte Person: 佐々井, 洋一 ; 佐々井洋一 [著]
Link:
Veröffentlichung: 1987
Medientyp: Hochschulschrift
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: National Diet Library Digital Collections - 国立国会図書館デジタルコレクション
  • Contents Note: 目次 (9コマ目)
  • Document Type: 博士論文
  • Notes: 博士論文

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sm 576 - 768
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